CuCl2和InCl3溶液浸泡后快速热退火对CuInGaSe2薄膜电学性能的影响.pdfVIP

·384． 中国太阳能光伏进展 CuCl2和InCl3溶液浸泡后快速热退火对 CulnGaSe2薄膜电学性能的影响米 汤会香1 崔方明1席珍强1汪雷1孙云2杨德仁1 1浙江大学硅材料国家重点实验室浙江杭州 310027 2南开大学光电子研究所天津300071 · 【摘要】 Thermal 进行快速热退火(Rapid Process，RTP)对薄膜电学性能的影响。结果 中的空穴复合，降低了载流子浓度，但是在适当的条件下提高了载流子迁移率。 件下，提高了薄膜的迁移率。 【关键词】 快速热退火CulnGaSe2薄膜载流子迁移率 Effectof in and solutionfollowedRTPon CuClzInCl3 immersing by electrical of thinfilms CuInGaSe2 property TANG CUI WANGLeilSUNYun2 Derenl Huixian91 Fangmin91×IZhenqian91 Yang 1 StateLab．ofSilicon Key Materials，Zhejiang 310027，R．EChina University，Hangzhou 2InstituteofPhotoelectricthinfilmsand Device，Nankai University，Tianjin，300071 0引言 禁带宽度为1．04eV，且为直接带隙材料，吸收系数在104～105cm_1范围内，只需要l～2Ixm 厚的薄膜就可以吸收大部分的太阳光，从而可以大大降低太阳电池成本。目前ZnO／CdS／CIS 结构的薄膜太阳电池效率已达17．6％，而采用顺次共蒸发法制备的小面积(大约O．5cm2)的 Cu(In，Ga)Se2(CIGS)电池效率达到18．8％ll J。CIS或CIGS的制备方法很多，有溅射法、 热解喷溅法、分子束外延法、电化学沉积法物理气相沉积法等，目前，共蒸发法和溅射金属 预置层后硒化法比较成熟。溅射金属预置层后硒化法制备CIS在降低成本，提高成品率，实 }国家“863”计划资助项目(2004AA513024o 化合物半导体和空．Ja-t用太阳电池及材料．385． 现大面积制备等方面具有一定的优势。但是由于CIGS薄膜是多元化合物，其电学性能对原 子配比及晶格匹配不当而产生的结构缺陷较为敏感，作为光伏层的CIGS薄膜材料在制备过 程中需要控制的因素较多，工艺重复性较低，高效电池成品率不高，制约着产业化的进程。 要提高CIGS薄膜太阳电池的转换效率，必须调节薄膜中各元素的配比，减少配比不当 引起的结构缺陷，．从而把薄膜的载流子浓度和迁移率控制在一定的范围。我们采用对薄膜进 行扩散一定量的Cu、In离子来研究过量的Cu、In离子对CIGS薄膜中的缺陷的影响。 1实验 用中频交流溅射设备，以舡气为工作气体，在玻璃基片上依次溅射沉积cu、In预置层，