霍尔法测磁场.doc.doc

实验四 霍尔法测磁场 【 实验目的 】学习用霍尔效应测量磁场的原理和方法。【 实验仪器 】 【 实验】 在洛伦兹力的作用下，载流子的运动方向发生偏转，使电荷在半导体片的相对两侧面 及上聚集起来，两侧面之间将出现电势差UH,即霍尔电压。 在霍尔效应中，载流子在薄片侧面的聚集不会无限的进行下去，因为侧面聚集的电荷在薄片中形成横向电场。设电场强度为E，方向由C 指向H ，此电场对载流子的作用力大小为 可以看出，电场力的方向与洛伦兹力的方向相反。当 两力达到平衡状态，在半导体片中形成一个稳定的电场。此时半导体片中的横向 电场强度为 两侧面的霍尔电压也达到一稳定值 设n为半导体片中载流子浓度，则 可以得到 RH称为霍尔系数，单位为毫伏· 毫米/毫安· 千高斯（mV · mm/mA· kGS）。 KH称为霍尔元件的灵敏度，其单位是毫伏/ 毫安· 千高斯(mV/mA · kGS) 。 ? 应该指出上式是在假定理想情形下得到的。实际测量时测得的值并不只是UH，还包括了其它因素带来的附加电压，因而根据UH计算出的磁感应强度B也不准确。主要的附加电压′ 两点在同一等位面上，因此即使不加磁场，只要有电流Is通过，就有电势差U0产生，U0=IsR（R是A