LPCVD多晶硅薄膜制备技术.pdfVIP

第六届奎闰袁面I彝学术奢议 兰州 2006年8月 LPCVD多晶硅薄膜制备技术 吴嘉丽+，李仁锋，谭刚，李红 (中国工程物理研究院电子工程研究所，四川绵阳，621900) 摘要：介绍了低压化学气相淀积多晶硅薄膜的静j备原理及稍备技术．对多晶硅成膜质量进行了分 析，分析了影响多晶硅薄膜均匀性、致密性、淀积速率的因素及原因。最后对用硅烷作反应气体的 多晶硅薄膜带1备工艺技术进行了简单总结． 关键词：低压化学气相淀积 多晶硅 薄膜 制各技术 引言 微电子机械系统(MEMS)的出现，将电子系统和外部世界联系起来了。采用成熟的IC工艺制作 MEMS器件，是这几年来，人们—直追求的目标，而表面牺牲层技术是与CMOS工艺兼容比较理想 的一种。在表面牺牲层工艺中，多晶硅薄膜却扮演着重要的角色。多晶硅材料具有可以与单晶硅材 料比拟的良好机械性能和电学性能，因而是形成机械结构的优选材料。多晶硅薄膜材料具有可大面 积、低成本制备的优点，因此，对于多晶硅薄膜材料的研究越来越引起人们的关注。目前制备多晶 硅薄膜的方法主要有如下几种：低压化学气相淀积、固相晶化、准分子激光晶化、快速热退火、金 属诱导晶化、等离子体增强化学反应气相沉积等。它们具有各自不同的制备原理、晶化机理、以及 优缺点。在这里主要介绍低压化学气相淀积(LPCVD)制备多晶硅薄膜技术。 1 LPCVD原理及各主要工艺参数 1．1淀积原理简介 低压化学气相淀积是用加热的方式在低压(50Pa～133Pa)条件下使气态化合物在基片表面反 应并淀积形成稳定的固体薄膜。LPCVD设备由于工柞压力低，气体分子的平均自由程和扩散系数 很大，故气态反应剂与副产品的质量传输速度就快，形成淀积薄膜物的反应速度也就很快，平均自 由程越长，薄膜淀积的均匀性也越高。其化学气相淀积过程可以分为以下几步：a．反应气体从炉体 人口处向硅片附近传输；b．气体在炉体内分解并反应生成系列次生分子；c．将反应生成物淀积到基 片上形成薄膜；e．气体反应后有副产物产生；f副产物离开硅片表面；g．副产物被泵抽离。 1．2 LPCVD主要工艺流程 LPCVD主要工艺流程见图1。 图1工艺流程图 Fabrication Fig．1 processdiagram 1．3 LPCVD制备多晶硅薄膜主要工艺参数 ’作者简介：吴嘉丽1957年女汉族四川高级工程师 联系方式；四川省绵阳市919信箱512分箱 0816—2487517 基金项目 中国工程物理研究院电子工程研究所内基金资助 E-mail：鲤j!!銎；墅i!i：gi! 项目编号： 第六届叁啊表面工程学术鲁蕾 兰州20嘶年8月 I_2CVD设备是一种直接生成多晶硅薄膜的方法。LPCVD设备有较低的化学反应温度，生长速 度快，成膜致密、厚度均匀性好，具有良好的台阶覆盖性和重复性，而且淀积薄膜不受衬底的影响， 并能很好控制其组份。我们单位采用的是北京七星华创研制的IA243／ZM三管低压化学气相淀积设 备进行多晶硅薄膜制备。该设备由反应室及加热装置、真空系统、气路系统、微机控制系统、气源 柜、净化工作台六大部分组成。LI：℃VD采用的是垂直方式装片，提高了生产率和降低了硅片在微 粒中的暴露。其反应系统见图2所示。 图2Lt)cVD设备系统示意图 Schematic diagramofLPCVD Fig．2 system 净的硅片垂直放置于密封反应管(石英管)内(见图2)进行化学反应来制取薄膜。其薄膜生长过 程为：a．晶体形成；b．聚焦成束；c．形成连续的膜。参加反应的气体纯度是99．9999％的硅烷，即硅 为13．3～26．6Pa；淀积速率可达60盂／mm～80A／rain。其化学反应式如下：