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2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 MEMS器件的腐蚀与释放研究 欧毅，石莎莉，李超波，焦斌斌，陈大鹏 (中科院微电子研究所微细加工与纳米技术实验室，北京100029) 摘要：以硅微机械FP腔器件为代表，该器件采用了标准的硅表面加工工艺，分析了此 类具有悬空结构的MEMS器件在进行牺牲层的腐蚀和最终的结构释放过程中的各种问题。 根据所遇到问题的不同情况对器件的设计和工艺流程进行了改进，并通过试验验证了其可 行性。 关键词：MEMS，牺牲层，腐蚀，释放，隔离槽 一． 引言 在光纤通信技术中，光学滤波器、光学衰减器都是重要的组成部分。而通常的这些光 学器件都是体器件，其调谐速度慢，体积大。而基于表面微机械技术的FP干涉型滤波器 和衰减器具有体积微小、易于集成、调谐速度快，调谐精度高、插入损耗小、可以连续调 谐等优点，可以广泛应用于光通讯WDM系统中[1，2]。本文介绍一种基于表面薄膜工艺的 MEMS—FP腔器件，它是采用化学气相沉积、刻蚀、金属蒸发等工艺进行加工的多用途微型 光学器件。目前，这种结构可以用做滤波器、衰减器或调制器[3]。本文对它的制备过程 中的牺牲层腐蚀和机构释放进行了试验的讨论和分析。 悬空的微梁、微板等结构在MEMS中是很常见的，当采用湿法腐蚀去除牺牲层时，有 三个因素是影响器件能否最终成功制备的。第一是在腐蚀悬空结构下方的牺牲层的同时， 腐蚀液也会腐蚀悬空结构周围侧向的牺牲层，最终导致被腐蚀的区域增大，我们把这种现 象称为侧向钻蚀；第二是微梁、微板的尺寸过大，造成牺牲层的不能完全腐蚀；第三是在 干燥过程中，悬空膜与衬底之间的液体桥产生的表面张力向衬底拉动结构层，如果此时结 构层的弹性回复力不足以克服这一拉力，结构层会与衬底接触，并与衬底粘附。在MEMS—FP 腔器件的制备过程中就出现了以上的三方面问题，下面具体进行讨论。 二． 试验和讨论 2．1MEMS FP器件的基本结构 硅微机械FP腔器件的三维基本结构 如图1所示，其加工过程是首先在低电阻 率的搀杂硅片上LPCVD(低压化学气相沉 积)生长1．169m左右的氧化硅作为牺牲 层，然后再在氧化硅上LPCVD生长0．2 gm 左右的氮化硅；在光刻出上电极图形后， A)， 蒸镀上电极金属(Cr=lOOA，Au=500 剥离后，采用RIE(反应离子刻蚀)刻透 四条粱夕问梯形部分的氛化石丰．最后用HF (氢氟酸)湿法腐蚀去除牺牲层，并释放 结构。 图1硅微机械FP腔器件的三维基本结构 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 2．2侧向钻蚀 由于采用硅表面加工工艺的MEMS器件，其在加工的过程中都是分层的，所以牺牲层 不论在悬空的结构下方还是固定结构下方都有分布，而此时在悬空结构和固定结构下方的 牺牲层之间如果没有阻挡层的话，就会在湿法腐蚀的过程中发生侧向钻蚀，而侧向钻蚀会 导致被腐蚀的区域增大，最终使悬空结构容易与衬底粘附。 如图1所示，为在制备第一批FP器件的过 程中所出现的严重的侧向钻蚀问题，从图中可以 看出在器件的周围有一圈近似圆形的钻蚀的痕 迹，这样最终被腐蚀的区域增大了，导致本来应 该悬空的上反射镜与衬底的粘附，器件制备不成 功。 为了解决侧向钻蚀的问题，我们设计了一种 隔离槽结构，在生长结构层材料SiNx之前，通 过RIE干法刻蚀在器件的周围加工出一个防止 侧向钻蚀的隔离槽结构。从后来的试验结果看， 这个方法有效的阻止了侧向的钻蚀现象。具体的 图2侧向钻蚀 试验结果见下面的论述。 2．3腐蚀不完全 在MEMS—FP器件制备的腐蚀过程中所遇到 的第二个问题就是腐蚀不完全的问题。在第二次 的试验制作过程中由于功能上的需要，加大了上 反射镜的面积，此时需要被去除的牺牲层部分增 大了，有非常大的深宽比，超过了湿法腐蚀的极 限。也就是在一个非常薄而且非常长的空间内的 腐蚀液在与牺牲层反应完之后，很难与外部的腐