MgO掺杂对Ba065Sr035TiO3陶瓷结构和性能的影响.pdfVIP

2005年10月 四川大学学报(自然科学版) Oct．2005 Science V01．42Issue ofSichuan 2 第42卷增刊2 Journal University(NaturalEdition) 文章编号：0490—6756(2005)022-0331-06 章天金，江娟。，毛鸿，张柏顺 (湖北大学物理学与电子技术学院，武汉430062) 摘要：用传统固相反应法制备不同MsO含量的BST陶瓷，并研究MgO掺杂对BST陶瓷结构 和性能的影响．MgO掺杂后陶瓷的XRD图谱显示存在单一的钙钛矿鳍构，且XRD衍射峰随 着MsO含量的增加向低角度方向漂移．密度测量表明，MsO掺杂后BST陶瓷的密度有所增 加，并且随着MgO含量的增加而增加，FESEM照片也证实MgO掺杂后BST陶瓷的致密性有 所增加．介电性能测量结果表明，M93掺杂后介电常数和介电损耗均减小，介电色散也减弱． 介电温谱显示，MgO掺杂后介电峰被压抑和展宽，表明出现扩散相变．14℃时测量的电滞回线 表明MgO掺杂后陶瓷的自发极化和矫顽场均减小，说明陶瓷的铁电性能减弱． 关键词：BST陶瓷；MSO掺杂；介电性能；铁电性能 中图分类号：TB303 文献标识码：A 引言 调性好等优点，可广泛用于动态随机存储器、集成电容器、红外探测器和集成微波器件等领域．BST材料 的居里温度随Sr含量的增加而降低，其相变温度以及电学性能也可以通过调整Ba和sr的比例进行调 F可获得最佳电学和热释电性能【101． 在BST材料中掺杂Mg可以降低材料的介电常数和介电损耗．这是因为Mg对于BST材料来说是受 主掺杂，这种掺杂具有阻止晶粒过分长大，并使陶瓷致密的作用，同时受主掺杂能够提高晶粒边界的势垒 高度，抑制漏电流，从而减小介电损耗【6j． 的影响，特别深入研究了Mg作为受主掺杂降低介电损耗的机理．su等[9,10】研究了“多量掺杂”与“少量掺 杂”对BST陶瓷结构和性能影响的不同机理，并讨论了Mg掺杂对BST陶瓷铁电性能的影响，但是没有具 体研究其影响机制． 种影响的物理机制． 2实验 收稿日期：2005-05-01 基金项目：国家自然科学基金4)；湖北省教育厅重大项目基金(200lz01007) 作者简介：章天金(1965一)，男，博士。教授．Tel：027 crI *通讯作者．E．mail：h响ian西咖@yah。o．corn 332 四川大学学报(自然科学版) 第42卷 2h成瓷． 能由Precise workshop测得． 3结果与讨论 3．1 Mgo掺杂对BST陶瓷结构的影响 的密度达到5．4159／cm3(理论密度的98％)． 田1 MsO掺杂对Bsr陶瓷密度的移响 圈2M90掺杂前后BSTlIl4竞的XRD匮谱． Effects onthe ofBST Fig．1 of№p dmⅪity c∞nⅡ∞ M目0；(d)1．5％ldg]；(e)2．0％MsO F谵．2XRD MgO．(a)pureBsT；(b)0．5％MsO； (c)1．O％M曰0；(d)1．5％M倒0；(e) 2．O％M日0 减小，表明陶瓷晶化的程度变弱，这说明掺杂M90后陶瓷的成瓷温度略有提高．