第二讲半导体物理及器件基础导论.pptVIP

双极型晶体管 基本结构和分类 N N P P P N 三层结构 NPN晶体管 PNP晶体管 BJT: Bipolar Junction Transistor 27/50 双极型晶体管 发射区 集电区 基区 集电结 发射极 集电极 基极 发射结 Emitter Base Collector （1）两个PN结：发射结、集电结 （2）三个区：发射区、基区、集电区 （3）杂质浓度：发射区基区集电区 （4）窄基区：小于数微米 NPN晶体管 28/50 双极型晶体管 发射结（B-E结）：正偏 集电结（B-C结）：反偏 输入 输出 发射区 集电区 基区 集电结 发射极 集电极 基极 发射结 共发射极接法 29/50 双极型晶体管 发射区 集电区 基区 发射极 集电极 基极 Ie Ib 载流子输运情况 30/50 双极型晶体管 发射区 集电区 基区 发射极 集电极 自建场方向 Ie 基极 Ib 载流子输运情况 31/50 双极型晶体管 发射区 集电区 基区 发射极 集电极 基极 自建场方向 Ie Ib 电流增益β：通过基区的电流与在基区复合的电流之比。 Ic 载流子输运情况 32/50 双极型晶体管 Vce v.s. Ic Vbe Vce e c b Vce Ic Ib=0 截止区 晶体管特性曲线 Vbe=0 eb结和cb结均反偏，晶体管截止。Ic和Ib均很小。 33/50 双极型晶体管 晶体管特性曲线 饱 和 区 Vce v.s. Ic Vbe Vce e c b Vce Ic Vbe0 Vce较小： eb结和cb结均正偏， Ic随Vce增加而增加。 Vce较大： eb结正偏而cb结反偏， Ic＝βIb。 截止区 放大区 Ib1 Ib2 Ib3 Ib4 34/50 双极型晶体管 NPN晶体管在集成电路中的剖面图及电路符号 N+ N+ P－衬底 P N C B E c b e 35/50 MOS晶体管 N MOSFET P MOSFET N+ P Sourse 源极 N+ Gate 栅极 Drain 漏极 P+ N Sourse 源极 P+ Gate 栅极 Drain 漏极 Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor 金属－氧化物－半导体场效应晶体管 基本结构和分类 36/50 MOS晶体管 NMOS的共源极接法 源极 N+ P N+ 栅极 漏极 漏结 源结 沟道 Channel 37/50 MOS晶体管 NMOS电容 源极 N+ P N+ 栅极 漏极 VGS=0 VDS=0 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － VS=0 38/50 MOS晶体管 空间电荷区 （耗尽区） 源极 N+ P N+ 栅极 漏极 VGS0（小） VDS=0 VGS0（小）:栅氧化层下出现空间电荷区（耗尽区） － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － VS=0 NMOS电容 39/50 MOS晶体管 耗尽区 反型层 源极 N+ P N+ 栅极 漏极 VGS↑ VDS＝0 VGS增加： 空间电荷向下扩展，栅氧化层下的半导体表面出现多余自由电子，相当于在表面形成一层导电类型相反的半导体层，称为反型层。此时的VGS称为阈值电压VT(0.5V-1.0V)。 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － VS=0 NMOS电容 40/50 MOS晶体管 VGSVT:表面反型程度进一步加深，半导体表面积累更多的电子，同时反型层的屏蔽作用使得耗尽区停止扩展。 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － 耗尽区 反型层 源极 N+ P N+ 栅极 漏极 VGSVT VDS＝0 VS=0 NMOS电容 41/50 MOS晶体管 阈值电压计算公式 NPN： PNP： 42/50 MOS晶体管 NMOS共源极接法的工作机理 VGSVT,VDS0:漏结耗尽区扩展，使得栅极下方耗尽区宽度从源到漏逐渐增加，晶体管截止，IDS＝0。 源极 N+ P N+ 栅极 漏极 VGSVT VDS ID VDS0 IDS 43/50 MOS晶体管 VGSVT,VDS0（小）:栅极下方耗尽区宽度从源到漏逐渐增加，而反型层宽度从源到漏逐渐减小，ID随VDS增加而线性增加。 源极 N+ P N+ 栅极 漏极 VGSVT VDS ID VDS0 (小) IDS NMOS共源极接法的工作机理 44/50 MOS晶体管 NMOS共源极接