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2017-03-15 发布于广东
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一种应用于Flash+AD变换器中的预放大器设计.pdf

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一种应用于Flash+AD变换器中的预放大器设计.pdf

2005年11月第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议珠海一种应用于FlashA／D变换器中的预放大器设计高大明，范军，叶青，叶甜春 (中国科学院微电子研究所，北京100029) 摘要：针对FlashA／D变换器中的预放大器设计了一种全差分放大器电路，对该放大器电路的抗翻转噪声能力进行了分析和仿真，指出该放大器电路通过改进的共模反馈电 llm 路能有效抵制翻转噪声。利用SMIC0．18 CMOS混合信号工艺，把设计的预放大器应用到一个Flash结构的A／D变换器中进行了流片，预放大器满足A／D变换器60M奈奎斯特采样带宽的要求。流片测试结果表明，采用该预放大器的A／D变换器信噪比SNR获得了改善，有效位数ENOB能提高大约0．6比特，预放大器达到了预期的设计要求。关键词：A／D变换器，预放大器，信噪比SNR，有效位数ENoB。 A A／D toFlashConverters Pre-·AmpApplied CMOS for convertersiS Abstract：Adifferential suitableA／D pre-amplifiers SMIC0．18m C心B designed u CMOSmixed improved using technology，whichadopts circuit．Theissues ofSimulationare about andresults given． reasons，analysiS Atthesame Flash convertersintroducedwiththiSdifferential time，a A／D iS hasa60M bandwidth．The pre—amplifier sample tapeouted，whichNyquist measurementresultsshowthatthe converterwith CMFB A／D improvedpre—amplifier hasabetter itsENOBincreasesof0．6bits．The achieves SNR，and pre—amplifier whichis purpose expected． Words：A／D Key converters。pre-amplifiers，SNR,ENOB．等性能指标有重要的影响；锁存器锁定比 1引言较器输出的逻辑电平以供后级的编码电路使用，这部分电路产生的翻转噪声和整在各种结构的A／D转换器中，比较器大多前置预放大器