一种新颖的24GHz射频CMOS功率放大器.pdfVIP

一种新颖的2．4GHz射频CMOS功率放大器 王燕，徐国栋 哈尔滨工业大学卫星技术研究所，哈尔滨150001 摘要：射频电路和数字电路集成在一起已经成为一种趋势，而射频集成电路功率放大器是射 Si 频集成电路设计的瓶颈之一，在本文中，采用TSMC CMOS工艺实现了一种高效 O．18ttm 率的非线性射频CMOS集成电路功率放大器。 关键词：功率放大器，CMOS，RFIC 1 引言 90年代以来数字集成电路已全部采用si材料的CMOS工艺。如果射频电路使用GaAs 工艺，当需要射频和数字电路集成在一起时，GaAs与Si不能兼容，不能制作在同一块衬底 上，不易于完全集成：若使用CMOS技术，就可使得RF电路和基带数字部分完全集成成为 可能。因此，人们希望采用CMOS技术制造RFIb路，从而实现低成本和小型化，同时将 RF与基带信号处理器集成在一起，实现单芯片解决方案。 功率放大器用小功率的高频输入信号去控制高频功率放大器将直流电源供给的能量转 化为大功率的高频能量输出。在系统的功耗中发射机占了绝大部分，发射机末级的功率放大 器又是最关键的部件，存在着较大的功率损耗。对于不同类型的发射机，末级功率放大器占 整个系统功耗的60％--90％，制约了系统性能。 因此，需要设计一种高效率cMOS射频集成电路功率放大器。 2 功率放大器的设计 0．18 Si 本文研究了用TSMCBinCMOS工艺实现的功率放大器。F类驱动E类的结构有 很高的效率，它工作在开关状态，适用于恒包络信号的放大。例如FM和GFSK信号等。 一个典型的功率放大器包括输入匹配网络、放大电路、阻抗变换网络、直流偏置和输出 阻抗匹配网络，如图l所示： 图1．功率放大器结构图 由于品体管的输入阻抗是复数，为了减少输入端的信号反射，必须要有输入匹配网络，使 Si CMOS工艺提供的电源电压比 电路的输入阻抗与源的阻抗(50n)匹配：由于TSMC0．181un 较低，为了在输出端获得较大的输出功率，阻抗变换网络成为电路中不可缺少的部分；直流偏 置电路为电路提供合适的静态工作点。 图2为本文所设计的电路，由第一级的F类功率放大器为第二级的E类功率放大器提 供合适的输入信号。MI、M3工作在开关状态。输入匹配网络由L2和Cbl组成，图中虚线框 内的部分是在片上实现的，“．k采用的是片上螺旋电感，图5为其结构图。 433 VDDl VDD d 图2．F类驱动的E类射频CMOS功率放大器 2．1 F类驱动级 F类功率放大器由于其特有的电路结构，可以为下一级E类功率放大器提供合适的输 入信号，从而使E类功率放大器更加有效的工作。 两个并联LC回路(LdCl和L3／C3)分别谐振在一次和三次谐波频率上。其电容电感 的选择由式(1)、(2)给出。这样的结构使得除了一次及三次谐波外，其他谐波分量都被滤除 掉，只有一次和三次谐波输入到下一级。 1 一次谐波 厶：—≥ (1) 1蟛CI 1 三次谐波 厶：÷