一种添加剂在HFHNO3H2O系统中对硅片刻蚀的影响.pdfVIP

基础研究、新材料及新概念太阳电池 ．707． F／H 一种添加剂在H N03／H20系统中对 硅片刻蚀的影响 汪建强，安静刘志刚 孙铁囤． 200240 、 上海交通大学物理系．_l：ltii ． 【摘要】HF／HN03／H20刻蚀体系广泛应用于微电子加工和硅太阳能电池绒面加工工艺 ·中。也是近几年来学者研究的重点。系统中影响硅片刻蚀速度的因素有很多，’ + 如溶液的组成，硅片表面的结构；溶液温度以及是否搅拌等，其中溶液的组成 是影响硅片刻蚀速度最主要的因素。本文主要研究了添加剂氨水对 HF／HNOaIH20体系刻蚀硅片速度的影响。实验结果表明当氨水加入量较少时， 硅片刻蚀速度随氨水体积增加而增加。当氨水体积大于某个值时，刻蚀速度随 氨水体积增加而逐渐减小。同时用气体搅拌以及扩散层理论解释了硅片刻蚀速 度变化的原因。 【关键词】 硅片刻蚀氨水NH4N03分解搅拌 Anadditioninfluenceonsilicon inHF／HN03／H20 etching system WANG AN LIU Tietun ，．‘ JianqiangJing Zhigang，SUN of 200240China DepartmentPhysics，ShanghaiJiaotongUniversityShanghai 0引言 在HF／HN03刻蚀系统中，硅片刻蚀反应一般分为两个步骤，‘首先是硅片的氧化过程，接 着就是Si02的溶解过程。硅片在此系统中的反应是-个自催化过程，为了有效地控制硅片刻 蚀速度，我们需要找到～种控制硅片刻蚀速度的方法。国外不少研究人员目前已经研究出了几 种控制硅片刻蚀速度的方法ul。这里主要介绍一下溶液组成和添加剂对硅片刻蚀速度的影响。 在刻蚀溶液中，水和冰醋酸是刻蚀系统中经常使用的溶剂，这两种溶剂加入溶液后，溶液 的碱度和介电常数不同【2】。水溶剂主要是降低了HN03的氧化能力。以冰醋酸为溶剂溶液的介 电常数低于水溶剂形成溶液的介电常数，硝酸的分解程度也会降低，从而也就降低了硅片的刻 蚀速度担J。当溶液中加入NaN02时，在富硝酸溶液中，它对硅片的刻蚀速度没有明显的增强； 在富HF溶液中，硅片反应速度有显著的增加。这主要是NaN02和溶液中的氢离子结合生成催 ·708· 中国太阳能光伏进展 面形态【4】【别。加入的H3P04没有参加硅片的刻蚀反应也没有改变硅片刻蚀的动力学条件，但是 H3P04增加了溶液的黏性，从而增加了溶质传输的阻力№J。溶液中加入表面活性剂后，由于表 1试验 IIll， HN03的体积为250 ml。在不同的刻蚀溶液中，氨水量由0到100ml变化。含有不同氨水体积刻 蚀溶液的总体积都用去离子水调整到500 ml。每次反应前后都称量硅片的重量，同时取反应前后 溶液各100 ml，并测量反应后溶液的温度，最后用分光光度计测量溶液中氨根离子的含量。当硅 片反应30 min后，立刻取出硅片放入去离子水中清洗、烘干，供测量用。 2试验结果与讨论 2．1 加入氨水的体积对刻蚀溶液的影晌