中子辐照缺陷的机理研究.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 中子辐照缺陷的机理研究 河北工业大学材料学院信息与功能材料研究所 李兴华 摘要：高能粒子辐照硅单晶，入射粒子会与硅原子发生库仑作用、电磁作用或核反应， 引起粒子能量的损失。晶格位受碰撞的原子获得的能量大于硅原子的位移能量阀值时，就 会在晶体中产生空穴和自间隙原子对。他们会与硅单晶中的氧、氮、磷等杂质发生反应形 成复合体，这些复合体对硅单晶原有的掺杂起补偿作用，使材料的电学性能发生改变。空 位相关的复合体还会对硅单晶后续热处理过程中热施主、新施主、氮氧复合体及氧沉淀的 形成产生影响。因此很有必要对辐照缺陷作一综述。 引言 在当今微电子科学技术全球高速发展的情况下，以硅作为基础的半导体材料，凭借其 低廉的成本，良好的稳定性以及优越的性能，在整个半导体材料中占到了95％左右的份额。 随着半导体加工工艺的不断发展和完善，对硅材料提出来越来越高的要求。一方面需要均 匀性好，性能优良的硅材料；另一方面，硅材料又必须具有良好的抗辐照的性能，以制备 出能在天空、核爆的环境下工作的器件。因此作为半导体工业支柱的硅材料对辐照效应倍 受瞩目。 半导体的许多工艺如掺杂、刻蚀制版等，是在辐照的环境下进行的。在半导体辐照效 应研究的范围内，辐照包括不带电粒子(中子辐照)、带电粒子、电子和电磁辐射。对二 极管进行电子辐照可以得到精确的少子寿命，电子辐照工艺具有重复性好、灵活性大、辐 照缺陷分布均匀以及辐照器件有很好的高温特性等优点。中子辐照具有电子辐照类似的作 用，它在引入深能级缺陷的同时，还会在硅材料的体内产生中子嬗变掺杂的作用，可以实 现均匀掺杂效果的材料或器件。所以中子辐照备受研究者的关注。对应某种辐照工艺过程， 会对半导体器件引入不同程度的辐照损伤。在材料体内引入深能级缺陷，减少少子寿命和 迁移率；改善闸流管和功率器件的恢复特性；提高光电导探测器的时间响应特性等。有人 发现氮对大直径的硅单晶生长中的的空位缺陷具有抑制作用，微氮硅单晶的应用已经引起 了人们的重视。Shimura等提出，氮能够抑制空位的团聚而有利于空位与氧的结合，从而 促进氧沉淀。微氮硅单晶的中子辐照的研究还没有见到相关的报道。 一辐照： 1．辐照研究概况： 研究者早在50年代就发现了辐射对半导体的损伤作用。但直到1963年发现人造卫星 穿越范·艾伦辐射带时，内部电子系统的晶体管因受到辐射而失效，这才引起科学家的重 视，并对其进行研究。1965年watkin…成功地利用电子核磁共振的技术测量了中子辐照在 硅晶体中产生的损伤缺陷。70年代初开始，研究的重点逐渐从以双极性器件的位移效应转 移到以MOS器件为中心的电离效应。超大规模集成电路由于日益增加的集成度和不断减少 的线宽，对辐射响应机制有了新的现象，使研究增加了新的内容。 高能粒子辐照硅单晶，入射粒子会与石睾原子发牛库仑作用、电磁作用或核反内．引孝己 粒子能量的损失。晶格位受碰撞的原子获得的能量大于硅原子的位移能量阀值时，就会在 晶体中产生空穴和自间隙原子对。他们会与硅单晶中的氧、氮、磷等杂质发生反应形成复 ．249． 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 合体，这些复合体对硅单晶原有的掺杂起补偿作用，使材料的电学性能发生改变。空位相 关的复合体还会对硅单晶后续热处理过程中热施主、新施主、氮氧复合体及氧沉淀的形成 产生影响。因此很有必要对辐照缺陷作一综述。 目前由于辐照损伤产生的缺陷及其微观机理，许多问题没有一个明确的定论。无论 是研究辐照半导体的电学性能，还是半导体的抗辐照性能，对材料的辐射损伤模式和缺陷 产生的微观机理的研究仍然是研究者工作的重点。 2．硅单晶的辐照机理： 辐射与物质的主要作用形式有库仑作用、电磁作用以及核反应三种主要的形式幢3。通 过这些形式的作用，高能粒子与物质传递能量，形成硅晶体中的各种缺陷。 半导体辐射 效应涉及的辐照环境有太空辐照、核爆炸辐照、实验室辐照及生产中的工艺辐照四种环境。 宇宙空间中的辐照有宇宙射线、范艾伦带、太阳耀斑、太阳电子辐照和极光辐照。核武器 爆炸产生快中子、Y和x射线对半导体形成辐照环境。实验室