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2005’全国微波毫米波会议论文集 五位中频数字移相器设计 王志刚 延波徐锐敏谢小强张勇 电子科技大学电子工程学院微波工程系，成都，610054 Email：wangzhigan919791@163．com 摘要：本文采用高通低通滤波器形式和立体结构，并利用PIN管作为开关元件，设计了一个五 入损耗都低于2．5dB，幅度不平衡小于0．5dB，相位误差小于3．5度，电压驻波比小于1．8。 关键词：中频立体结构数字移相器 一、引言 移相器的应用十分广泛，比如各种通讯和雷达系统、微波仪器和测量系统。在相控阵雷 达中应用最多，在每个辐射单元背后，都接有一个电控移相器，可用电的方法控制其相移， 从而使天线口面的相位产生变化。 电控移相器有模拟式和数字式两种。模拟式移相器相移连续可调，数字式移相器的相移 是量化了的，即其相位只能阶跃变化。显然前者相位变化比较精细，但是其控制电路设备将 十分复杂。经过计算和分析，数字式移相器只要使其相移跳变量小于450，就可以足够精细地 控制天线波束指向位置。移相器位数越多，对波束的控制越精细。 实用电路中通常采用的移相器类型包括开关线型移相器、加载线型移相器、耦合器型移 相器和高通低通型移相器。每种电路结构各有千秋，必须根据系统要求，选择最佳的移相结 构。 二、工作原理 本文设计的是一个非色散五位数字移相器，采用的是高通低通型结构，这种移相器的基 本结构如图1所示。 在频率低端，因为路径选择型、加载线型和耦合器型移相器所需传输线很长，所以移相 器的物理尺寸很大，而如图1所示的高通低通型移相器电路可以解决这一问题，这种结构适 合于频率低端的移相器设计，特别是UHF频段。在用平面肖特基势垒二极管或金属半导体场 效应晶体管(MESFET)作为开关元件的MMIC移相器中，高通低通型结构也有较好的应用 前景。 “、 。 目 ≮o i： ，_， 弘} m＼／，7 7jcw 、‘ 。一／， 。1 s’ ，／＼m— 、、、? ，，， 。／ 。≮『≥ I|。{Ii f i F0 L ri叫叫叫叫{i m火|．卜个‰1弋i．、、j．j ×， ；×n 袋 (b)72型结构 图1高通低通型移相器：(a)T型结构 1459 2005’全国微波毫米波会议论文集 当低通滤波器支路的开关导通时，通过的信号产生一个相位延迟；而当高通滤波器支路 的开关导通时，通过的信号产生一个相位超前。所以通过开关在两个支路之间转换就可获得 相差。 对T型结构进行电路分析，首先是低通支路，通过各元件的转移矩阵得到电路的转移矩 阵：