伽马辐射法在聚乙烯薄上膜接枝甲基丙烯酸诱导CaCO3晶体生长的研究.pdfVIP

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伽马辐射法在聚乙烯薄上膜接枝甲基丙烯酸诱导CaCO3晶体生长的研究.pdf

伽马辐射法在聚乙烯薄上膜接枝甲基丙烯酸诱导 CaC03晶体生长的研究 张凤英 侯铮迟。 虞I鸣 谢雷东李晶 (中国科学院上海应用物理研究所 匕海 201800) 天然生物矿化材料在形成过程中由于无利L考17t的结品严格受生物体分泌的有机基质的控 制,往往表现‘出特有的结构和优异性能。近年来,越米越多的研究都涉及采用仿生的方法, 利用原子间的弱相互作用,通过分子识别利分子白组装的方式来制备有机/无机复合新型材 料。其中一种典型的方法是在高分子表面形成功能性基团,再将其浸入无机过饱和溶液, 使无机物在功能化的表面上发生异相成核和生长,从而形成有机/无机复合材料‘71。 利用高分子薄膜作为模板来诱导无机晶体的成核并生长,其表面结构起着至关重要的 作用乜巧1。到目前为止,国ra外利用高分予薄膜作为摸板来诱导碳酸钙晶体盼成核并生长 的研究主要集中于在高分子薄膜表面上直接生长无机晶体或利用氧化剂、等离子体等对高 分子薄膜表面进行处理,然后诱导无机晶体在其改一P-IJ舌的表面上生长15-710采用辐射接枝 的薄膜表面来诱导碳酸钙晶体在其上生成的研究则还米见报道。作为高分子材料表面改性 的一种有效方法,辐射接枝可以实现按照需要对儿乎所有的高分子薄膜的表面进行修饰, 从而实现对在其上生长的无机品体的结构神I性能进行凋控的目的。本文尝试用辐射化学的 方法将甲基丙烯酸接枝到聚乙烯薄膜表面,然后利』1j改性的表面在添加了聚丙烯酸的过饱 和碳酸氢钙溶液中诱导碳酸钙晶体的异相成核和生长。本研究不仅在仿生合成有机高分子 薄膜和无机晶体复合材料领域建立了一科t基于辐射技术的新型制备方法,而且使辐射接枝 改性技术的应用更加广泛。 1.实验部分 1.1 样品制备 将聚乙烯薄膜(厚度65Min)用丙酮抽提24h左:fl后放入辐照管,加入5%的甲基丙烯 酸的水溶液,抽真空、通氮气,反复三次。然后将其收入钴源辐照,辐照剂量为15kGy,计 量率0.258Gy/s。把样品取出,用丙酮抽捉2411以h真空干燥。用红外光谱仪检测接枝效 果,采取称重的办法,按下式计算接杖率。 接枝率=(W—Wo)/Wo×100% 1 其中Wo、W分别为样品接枝前所f19质封。 用三次蒸馏水配制CaC03的:悬浮液,l乜磁搅拌-持续通入C02气体6h,抽滤掉剩余的 笫一作者:张风英,女,1979年1月出生,中科院卜海应刷!㈨里研究所在读博二L生,辐射化学专业 通讯联系人:丰侯铮迟:Bmail:Houzc衄zc_。熊业 20Il 中科院上海应用物理研究所前沿项目,编号551 3,具何J。1期性结构的有机膜和无机晶体复合材料 CaC03沉淀后,继。女在滤液中通入CO、·件lh^‰‘=滤液作为晶体培养液。 将接枝前厉的薄膜分刖放在培养皿I:,蒿盯,-旦乱培养。 1.2结果讨论 用红外光谱仪(FT-IR)对接性前肝·0浆乙烯潮111进行分析(见目I)。比较副-I,的两组 谱线,接枝后的薄膜在1730cm。,i右【|_抛r碳球f.’,曲:慢收峰,说明甲塾丙烯酸按恍到了聚 47%。 乙烯薄膜的表面。按公式I计葬,馥杓.‰0接性卒L 。■|『+『一厂歹 一\||i。’j漤\、 3”o“吼a张Rur黜旨f嘏}11””啪 F oI Fig.1 r-lR叩cclmI’o】、ethylenefilnls PE film wilh acid Film;rJo、r、PEgraftedmethacrylic (upper)ungrafted 将浸泡了9天m样鼎l叹出.刚扫描i。雠进’J观祭。篾现接枝前的薄膜表面朱发t变化, 接桂后的薄膜采丽川有品体形成。对谚杯·铺表面的进一步扫描电镜观察(见图2)表W,接桂 薄麒表面上生成丁一层致密的碳酸钙耢:』.,惭

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