模块五(修改)半导体器件及应用试题.ppt

5.2.1 半导体二极管的结构和符号 5.2.2 半导体二极管的单向导电性 5.2.3 半导体二极管的伏安特性 5.2.4 半导体二极管的温度特性 5.2.5半导体二极管的主要参数 重点：二极管的特性、主要参数 重点难点 5.2 半导体二极管 正极 负极 阳极 阴极 5.1.5 半导体二极管的结构和符号 将PN结加上电极引线，并用外壳封装起来就构成了半导体二极管 阴极 阳极 ( d ) 符号 D 按材料分 锗二极管 硅二极管 砷化镓二极管 按结构分 点接触型 面接触型 平 面 型 一、二极管的组成 二、二极管的分类 二极管分类 PN结 结电容 性能 适用范围 点接触型 面积小 小 高频性能好 检波 面接触型 面积大 大 低频性能好 整流 平 面 性 可大可小 可大可小 小 高频性能好 大 低频性能好 大 集成电路 小 整流和开关电路 金属触丝 阳极引线 N 型锗片 阴极引线 外壳 ( a ) 点接触型 铝合金小球 N 型硅 阳极引线 PN 结 金锑合金 底座 阴极引线 （b）面接触型 阴极引线 阳极引线 二氧化硅保护层 P 型硅 N 型硅 ( c ) 平面型 点接触型 面接触型 思考：如果在晶体二极管两端加交流电，灯泡会怎样？发光还是不发光？ S S (a) (b) + + 5.2.2 半导体二极管的单向导电性 结论 1. 二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负）时，灯泡亮 说明： 二极管处于正向导通状态 （二极管正向电阻较小，正向电流较大） 2. 二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正）时，灯泡不亮 说明： 二极管处于反向截止状态 （二极管反向电阻较大，反向电流很小） 分析 二极管与PN结一样具有单向导电性 VD(V) iD(mA) (uA ) 反向饱合电流 0.5 0 0.7 20 40 60 80 -25 -50 正向特性 反向特性 反向击穿电压 死区电压 导通电压 0.8 -20 -40 -60 A B C UBR 5.2.3 半导体二极管的伏安特性 5.2.3 半导体二极管的伏安特性 (1)加正向电压 第一阶段：死区（O-A） 二极管不导通 第二阶段：导通 (A-B) 二极管导通 (2)加反向电压 a.反向饱和电流 (它越小二极管的性能越好) b.击穿 电击穿 二极管能恢复性能 热击穿 二极管将永久性损坏 温度影响 温度升高? 正向曲线左移 反向曲线下移 (逆时针转动) 正向压降：-2mV/oC Is: ↑1倍/↑10oC uD iD 开启电压UON 硅管0.5V, 锗管0.1V。 导通压降(UT): 硅管0.6~0.8V,锗管0.2~0.3V 反向击穿电压UBR UBR 二极管伏安特性曲线 反向特性曲线 u0 正向特性曲线 u0 Uth 5.2.4 二极管的温度特性 Is 1. 最大整流电流 IF 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向击穿电压UBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。 最高反向工作电压UR一般是UBR的一半。 3. 反向电流 IR 指二极管未击穿时的反向电流。反向电流越小，单向导电性越好。温度越高反向电流越大。 硅管的反向电流较小，锗管的反向电流大。 5.2.5 二极管的参数 4.最高工作频率fM： 因PN结有电容效应,影响单向导电性 影响工作频率的原因— PN结的电容效应 结论：1.低频时，对PN结影响很小。 高频时，因容抗变小，结电容分流，使单 向导电性变差。 2.结面积小时结电容小，工作频率高。 重点：各类特殊二极管的用途和功能 重点难点 5.4 特殊二极管 5.4.1 稳压二极管 5.4.2 发光二极管 5.4.3 光电二极管 一、概念：由特殊工艺制造专门工作在反向击状态下的二 极管称为稳压二极管。 5.4.1稳压二极管 二.稳压二极管特点： 普通二极管反向击穿电压越大越好，一般UBR 100V。 普通稳压二极管工作电压UBR＝UZ = 2.5 ~30V。 稳压二极管特点： PN结面积大，散热条件好，使反向击穿是可逆。 三、稳压二极管的伏安特性曲线： 正向特性和普通二极管相同