半导体光电器件噪声特性的测试分析.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 半导体光电器件噪声特性的测试分析 王四新北京瑞普北光电子有限公司100027 摘要：半导体光电器件的噪声特性与其制造工艺的一致性、稳定性、完美性密切相关， 与其可靠性水平联系紧密。因此，深入研究半导体光电器件的噪声特性，对控制器件可靠 性水平具有重要的现实意义。 关键词：光电耦合器、噪声、特性分析 一、 引言 半导体光电耦合器主要由发光二极管和光电三极管组成，其噪声特性主要由光电三极 管噪声特性决定。光电三极管本身的噪声与晶体管噪声特性相同，可分为：与器件表面缺 陷密切相关、噪声功率谱强度与频率成反比的1／f噪声，与器件pn结区的缺陷密切相关、 噪声功率谱强度与频率关系具有洛伦兹曲线形式的产生一复合噪声(g-r’噪声)；噪声波形 具有连续出现的随机脉冲状，脉冲幅度通常比其他类型噪声幅度高达若干倍，与器件内部 重金属杂质沉淀和晶格位错、发射区扩散诱生位错、发射区边沿位错密切相关的爆裂噪声 (猝发噪声)等。 晶体管噪声主要包括：1／f噪声、g-r噪声、爆裂噪声、热噪声和散粒噪声，而晶体管1／f 噪声又包括：表面1／f噪声、位错1／f噪声、量子1／f噪声。 双极晶体管表面1／f噪声 基区表面复合电流IBS=ISS=qLEWBSUS， (1) 基区表面复合率Us=Som一一一 !圣里堕丝!二1 (2) 2+exp(u。+UBE—UF)+exp(uF—U，) u。u雎Ur分别是基区表面势、发射结偏压和基区表面费米势与q／Kt的乘积。k是发射区周 长，wBs是基区表面宽度。Us是基区表面复合率。S。是基区基本表面复合速度。I髂是基区表 面复合电流。 ～…V2～ⅣJ ％㈤：t垡盟崭等等坚型r龋手心㈤ 8／Ln√蹦。+C。， S-e(f)为基区表面复合电流的1／f涨落的功率谱密度，N。(EF)为氧化层陷阱密度。 双极晶体管位错1／f噪声 对双极晶体管的1／f噪声有显著影响的是在高浓度发射区磷扩散形成的发射区边沿位错， 发射结边缘位错在发射结处产生，然后向基区表面滑移，主要集中在发射区周边附近． 在大多数情况下，发射区边沿位错使1／f噪声和爆裂噪声同时增加：发射结边缘位错在发 射结表面附近同时诱生了表面态和体g-r中心，表面态密度D；，和体g-r中心密度Nr，满足 下列公式： Di。(r)=Di+oexp(一ar2)+Ds0 (4) N，。(r)=N。oexp(一br2’+Nro。 (5) r为缺陷态距发射结的距离，D。toNIT。与发射区扩散条件有关，D蚰Nlo与发射区扩散条件无 关，第一项反映了发射区边缘位错的贡献．发射区边缘位错通过诱生体产生复合中心产 生g-r噪声，通过诱生表面态产生1／f噪声． 双极晶体管量子1／f噪声 n+pn晶体管基极1／f噪声中的量子1／f噪声分量主要与空穴从基区注入发射区后在n+接 触处复合产生的1／f噪声，其功率谱密度可表示为： 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 In型坠型堕：1+盟 (6) sIB(f)：口砌．qIBDe “9 yw)p(wj)p(％) D。 Qn。是与散射机构有关的胡格系数，S。。是空穴在发射区接触点的复合速度． n+pn晶体管收集极量子1／f噪声的主要分量是电子从发射区注入基区后被收集区收集产生 的扩散1／f噪声，其功率谱密度可表示为： s。。(f)：口湘．qlcDIn旦盟』堕：1+盟(7) ““ywgⅣ(w：) Ⅳ(％) D。 V。是x=We处的载流子速度，量子1／f噪声的主要特点是电流噪声功率谱密度正比于电流本 身． 双极晶体管g-r噪声和爆裂噪声 在双基晶体管器件中，存在能够发射或俘获载流子的各种杂质中心， 根据他们在禁带中 能级位置的不同，分别起受主中心、施主中心、陷