基于IEP的高密度等离子体刻蚀过程终点检测技术.pdfVIP

第35卷，增刊 红外与激光工程 2006年10月 V01．35 InfraredandLaser Oct．2006 Supplement Engineering 基于IEP的高密度等离子体刻蚀过程终点检测技术 王巍1，兰中文2昊志刚3，姬洪2 (1．重庆邮电大学光电工程学院，重庆400065；2．电子科技大学微电子与固体电子学院， 四川成都610054；3．四川师范大学工程技术系，四川成都610071，) 摘要：高密度等离子体刻蚀是当今超大规模集成电路制造过程中的关键步骤。随着集成电路中器件尺寸 的缩小及器件集成密度的提高，对刻蚀过程终点的准确判断是目前所面临的一个严峻考验，传统的OES终点 检测技术已经远远不能满足深亚微米刻蚀工艺需求。讨论IEP终点检测技术的原理，针对多晶硅栅的等离子 体刻蚀工艺，讨论了IEP终点检测技术在深亚微米刻蚀工艺中的应用，IEP预报式终点检测技术已经运用在新 近研发的HDP刻蚀机的试验工艺上，最后对IEP终点检测技术未来的发展趋势进行了展望。 关键词：IEP；高密度等离子体； 刻蚀工艺； 终点检测 中围分类号：TP211+．6文献标识码：A 文章编号：1007．2276(2006)增B一0105．04 detectionin basedonIEP Endpoint high densityplasmaetchingsystem WANG 、 Weil，LAN Zhong．wen2，WUZhi—gan93，JIHon92 ofElectronics and ofMieroelectronicsand (1．College Universityofposts Engineering·Chongqing Telecommunication,Chongqing400065·China；2．College Sol，id State andTechnical Normal 610071，China) Electronics，UESTC,Chengdu610054，China；3．EngineeringD印artment,SichuanUniversity,Chengdu isacrucialinthe ofultra fabrication scale Abstract：Highdensityplasma(HDP)etchingstep large integrated circuits．Asthe circuitdevicescontinuetoshrinkin andincreaseindevice integrated geometry ofthe isa emission detection detectingendpointgreatchallenge．Traditionaloptical c