T13-D-国家奈米元件实验室.ppt

01、欲操作使用爐管之博士班研究生需通過機台負責人的訓練方可使用。 02、欲考核爐管者，須先考核過 (1)Wet-Bench (2)NK(3)Ellisopmeter。 03、使用爐管需確實填寫操作紀錄簿。 a) 開始執行Recipe後，便該立刻填寫，填寫後才可離開。 b) 填寫時務求字體工整，一定要留聯絡電話。 c) 若有沉積薄膜，一定要填寫沉積厚度。 04、Dry Oxide沉積膜厚凡小於 100?者，一律用橢圓測厚儀量測， 大於100?者橢圓測厚儀或是NK均可。 Poly-Si與α-Si則全部用NK測。 05、合格之使用人員若將機台使用卡外借他人使用，將取消使用資格兩個月。 06、嚴禁進爐管之晶片： a) 未經 NDL class10 Wet-Bench清洗 (新的晶片亦須清洗) b) 未去光阻 c) 破片或缺角 d) 含金屬(如經後段PECVD，CMP…….製程之晶片) e) 含Ⅲ-Ⅴ族 f) 未經許可之特殊晶片 (表面有異物也算) g) 未經旋乾之晶片 h) Run過非NDL前段機台(Run過交大奈米中心機台後，也不 能再進爐管) 若有問題，請詢問機台負責人，若違規經查獲，必懲以最嚴厲之處分。 National Nano Device Laboratories Create for the future 國家奈米元件實驗室垂直爐管注意事項 注意事項 垂直爐管 08、無論何時，爐管以NDL的RUN為最優先，有問題直接聯絡機台 負責人。 09、Run貨預約時間請與操作員確認，如有疑問請聯絡代工製造課。 National Nano Device Laboratories Create for the future 國家奈米元件實驗室垂直爐管注意事項