基于分子源SrTiO3薄膜同质外延生长的Monte+Carlo模型Ⅰ生长机制、模型与算法.pdfVIP

2005年10月 In／)ll大学学报(自然科学版) Oct．2005 ofSichuan Science VoI．42Issue2 第42卷增刊2 Journal University(NaturalEdition) 文章编号：0490-6756(2005)022．0129．05 基于分子源SrTi03薄膜同质外延生长的 Monte Carlo模型I：生长机制、模型与算法 张青磊’，朱基亮，谭浚哲，于光龙，吴家刚，朱建国，试定全 (四川大学材料科学系，成都610064) 摘要：提出了一种在极低的生长速率下(例如分子外延技术)。以SrTi03为代表的A1303型氧 化物薄膜的生长机理。井针对这一生长机制，给出了基于MonteCarlo方法的三雏模型和模拟 on 算法．模拟基于SolidSolid模型，并采用周期性的边界条件；模拟中通过库仑作用势引入了 基赢对沉积分子的影响；MonteCarlo事件由沉积事件、扩散事件、吸附成棱事件组成；分子扩 散能力与扩散激活能相关． 关键词：MonteCarlo模拟；薄膜生长；分子潭；SrTi03薄膜；氧化物 中图分类号：0484 文献标识码：A 1引言 当今半导体产业中，传统的SiOz门电极已经不能适应CMOS尺寸不断减少的需要，人们趋向寻找新 薄膜和基底的反应以及互扩散，SrTi03薄膜的生长通常希望在较低的温度下进行． 低温度下(例如室温下)制备SrTi03外延薄膜的报道．相比而言，单组元氧化物薄膜的生长温度就低得多 进行了同质外廷生长【6J． 是什么因素导致了单组元氧化物和多组元氧化物外延生长最低温度的巨大区别?我们通过对外延生 长MgO薄膜和SrTi03薄膜的比较，就溅射物质源、基底的作用对这一问题进行分析，在此基础上提出了 一种适用于以SrTi03为代表的ABq型氧化物薄膜的外延生长的生长机制来解释这一区别，并针对这一 on 生长机制，给出了模拟算法，模拟基于SolidSolid模型，并采用周期性的边界条件。MonteCarlo事件由 沉积事件、扩散事件和脱附事件组成；分子扩散能力与扩散激活能相关，而激活能则采用文献报道数 据[7．81．此外，还对所提出的生长机制和实验研究进行了对照分析， 2生长机制 2．1溅射源 收穑日期：2005．09—15 基金项目：国家安全973计划项目(Z0601)资助 作者简介：张青磊(1980一)男。山东青岛人，硕士研究生，师从肖定垒教授．主要从事功能材料物理与化学研究 *通讯作者，E-mail：砷h曲ntfly@y出∞．corn．印 四川大学学报(自然科学版) 第42卷 MgO薄膜的外延生长方法通常是用金属Mg作为靶材，在02气氛下进行沉积，02气氛可以在沉积 度[“． 在制备SrTi03薄膜物理方法中，所用的靶材通常为单晶或陶瓷．由于氧化物是一类离子型晶体。破坏 离子键需要很大的能量。所以，从靶材激发出来的物质主要为SrTi03分子[8]或更复杂的分子链，也可能有 少量SrTi03分解产生的SrO分子和Ti02分子． 2．2基底的作用 MgO和SrTi03等氧化物都是离子型晶体，这些氧化物单晶的基底对沉积的氧化物分子之间的作用 主要是对氧化物分子中阴、阳离子的库伦作用势，而范德华力作用相对很小．基底单个离子在表面上待计 算点产生的电势为 ≯=等十号 (1) 其中，z蛐b为基底离子所带的电荷量，r为基底离子到待计算点的距离，s。为介电常数，n，B为参数．由式 (1)，将基底所有离子在该点的电势叠加，得到基底在平面上某一点的电势． ≯=∑蒜十墨 (2) 由于不同分子沉积、扩散所在平面不同，我们将分别加以考虑