上课电工学第4章_-答案.ppt

N沟道增强型绝缘栅场效应管 结构及符号 工作原理 特性曲线 主要参数 结构及符号 栅极 P型硅衬底 源极 漏极 衬底 结构图 它是以—块掺杂浓度较低的P型硅半导体作为衬底、利用扩散的方法在其上形成两个高掺杂的N+型区，同时在P型硅表面生成一层二氧化硅绝缘层。并用 金属导线引出三个电极，分别作为源极(S)、漏极(D)和栅极（G）。 S 源极 B 衬底 D 漏极 G 栅极 符号图 S 源极 B 衬底 D 漏极 G 栅极 符号图 栅极 P型硅衬底 源极 漏极 衬底 结构图 注意：栅极是从二氧化硅表面引出的 在图形符号中，漏极和源极间的虚线表示增强型（即：UGS=0时，I=0），箭头方向表示P衬底指向N沟道。 工作原理 绝缘栅场效应管是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面感生电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。现在对N沟道增强型绝缘栅场效应管的工作原理进行分析。 1.UGS=0时，没有导电沟道 当栅源短路(即栅源电压UGS=0时，源区(N+型)、衬底(P型)和漏区(N+型)形成两个背靠背约PN结，不管ED的极性如何，其中总有一个PN结是反偏。如果源极S与衬底相连接地，漏极接电源的正极，那么漏极与衬底之间的PN结果也是反偏的，所以漏源之间没有形成导电沟道，因此漏极电流ID=0(相当于漏源之间的电阻很大)。 2.UGSUGS（th）时，出现N沟道 当栅源之间加反向电压(栅极接正极，源极接负极)，则栅极(铝层)和P型硅片相当于以二氧化硅为介质的平行板电容器，在栅源电压作用下，产生一个垂直于半导体表面的由栅极指向衬底的电场。 由于绝缘层很薄，即使只有几伏的栅源电压ED也可产生高达105~106V/cm数量级的电场，这个电场是排斥空穴而吸引电子的，因此，在该电场的作用下，它排斥P型硅片靠近栅极一侧的多数载流子(空穴)，而少数载流子(电子)却受到电场力吸引，汇集到表面层中来。 当栅源电压UGS达到一定数值时。这些电子在栅极附近的P型硅片表面形成一个N型薄层，将漏极和源极沟通，称为N沟道。由于此沟道是由栅源电压感应产生的，所以又称为感生沟通，如图所示。另一方面，由于它与P型衬底型别相反，所以，又称它为反型层。显然，栅源电压愈强，感生沟道（反型层）愈厚，沟道电阻愈小。这种在UGS=0时没有导电沟道，而必须依靠栅源电压才能形成感生沟道的场效应管，称为增强型绝缘栅场效应管。 负反馈的类型(6) 放大电路中反馈的判断 对于串联反馈 如果注入极性与反馈极性相同——负反馈 如果注入极性与反馈极性相反——正反馈 对于并联反馈 如果注入极性与反馈极性相同——正反馈 如果注入极性与反馈极性相反——负反馈 负反馈的类型(7) 放大电路中反馈的判断举例 反馈支路 电压反馈 串联反馈 串联电压负反馈 负反馈 负反馈的类型(8) 放大电路中反馈的判断举例 反馈支路 电压反馈 并联反馈 并联电压负反馈 负反馈 负反馈的类型(9) 放大电路中反馈的判断举例 反馈支路 电流反馈 串联反馈 串联电流负反馈 负反馈 负反馈的类型(10) 放大电路中反馈的判断举例 反馈支路 电流反馈 并联反馈 并联电流负反馈 负反馈 负反馈的类型(11) 放大电路中反馈的判断举例 分压式偏置电路 反馈支路 电流反馈 串联反馈 负反馈 串联电流负反馈 负反馈的类型(12) 放大电路中反馈的判断举例 如果分压偏置的交流放大电路中发射极回路没有旁路电容。 接有发射极电阻RE的放大电路 c1 c2 RC RS RB1 RL +Ucc es + + RB2 RE es + ? + ? 放大电路的交流通道 RS RL RE + ? + ? 是电流串联负反馈 负反馈的类型(13) 放大电路中反馈的判断举例 射极输出器 反馈支路 电压反馈 串联反馈 负反馈 串联电压负反馈 负反馈的类型(14) 放大电路中反馈的判断举例 集电极与基极之间接电阻的放大电路 反馈支路 电压反馈 并联反馈 负反馈 并联电压负反馈 负反馈的类型(16) 反馈支路 电压反馈 串联反馈 负反馈 交流电压串联负反馈 ES RB21 C3 RC2 RL T2 RB22 RE2 +UCC ~ RS RB1 C1 C2 RC1 T1 RB2 RE1 CE2 RE3 RF 例题3 判断下列电路的反馈类型 RE1、 RE3本级交直流 RE2本级直流 串联电流负反馈 串联电流负反馈 RF级间交流 串联电压负反馈 ES RB21 C3 RC2 RL T2 RB22 RE2 +UCC ~ RS RB1 C1 C2 RC1 T1 RB2 RE1 CE2 RE3 RF 负反馈对放大器性能的影响(1) 负反馈降低放大电路的放大倍数 d X · 负反馈降低放大电路的放大倍