基于载流子方法的双栅MOSFET解析模型发展.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 基于载流子方法的双栅MOSFET解析模型发展 何进，牛旭东：I=，宋岩，张兴，王阳元 北京大学微电子学院，北京100871木北京大学深圳研究生院， 深圳518055 1． 前言 模型已经被2-D的数字模拟所验证，可认 当CMOS特征尺寸进入45纳米以下时，为是一个理想的双栅MOSFET建模架构。现 传统CMOS器件和工艺技术的发展将遇到今的研究中为了追求简洁，忽略了例如多 SCE、迁移率减小、亚阈退化等方面的一 晶硅耗尽和量子力学效应。尽管如此，对 系列挑战。无掺杂(或轻掺杂)双栅 于它们的忽略并不影响本文结论的一般 性。 MOSFET因其理想的亚阈斜率(60mV／DEC) 和良好的SCE控制、独特的体反型效应、 2．模型的发展 无掺杂引起的统计分布涨落及迁移率退化 图l显示了对称双栅MOSFET的结构。 等优点而被认为是最有前途的纳米CMOS器有相同功函数的两个栅上接同一个电压的 件[1-2]。相对于传统CMOS器件，由于一栅偏置。由于硅体没有接地，因此以源和 些特殊的物理效应，如载流子能级量子化 漏端的电子准费米能级作为参考。我们考 [3]、多栅相联或独立栅偏控制[1，4]、虑一个nMOSFET，空穴是可以忽略的。尽 以及非片电荷的“体反型”现象[5—6]， 管如此，模型及其推导仅仅通过改变电势 这种非传统MOSFET器件的简洁物理模型的和电场的符号以及载流子极性就可以很容 建立，就要求一种根本不同的器件物理学 易扩展到pMOSFET。 方法。 对无掺杂对称双栅MOSFET，硅层中 近年来，一些研究小组通过求解一维 的可动电子的泊松方程如下： (卜D)泊松方程而建立起基于表面势方 盟：～生 (1) 2 dx 法的双栅MOSFET的解析模型[7—8]。这些 ￡d 模型由于在求解∥，g，(∥)、f∽)和 式中n为电子数量，￡d为硅的介电 表面电势和中心电势等中间变量和辅助函 常数。根据玻尔兹曼统计，可动电子浓度 数时需要数字叠代过程， 在数学结构上 可由电势表示： 很复杂，而在具体的计算上又很浪费时间 嘲唧f学]和，zo邓x4巫铲) 和计算机资源。 这些缺点使得该类模型 并不适用于ULSI的电路模拟和CAD应用。(2) 另一方面，其他研究团队也提出了以反型 ，l；是本征载流子浓度。由(2)得出的电 电荷为基础的简化模型[9-10J，而且他们 子浓度的多阶空间导数为： 己获得了简单的电荷和电流公式。尽管如 (3) 坐：坚一dn 此，这些模型需要一些附加的假设和近 出 口n出 似，不得不在模型的准确性和简洁性中间 作出折中。 在这样的背景下，本文提出一种完全 坐：坚堕一旦f纠2 、‘7(4) 一=：…一l—l ak2 dx2 qn qn2L出／l 不同的基于载流子方法的双栅MOSFET解析 将(4)代入(1)可得电子浓度的最终方