第16章磁力探究.ppt

* 电子将向上偏转，使上带负电荷、下侧带正电，正、负电荷产生一个附加电场EH，于是运动电子又要受到附加电场的作用力fe，与fm方向相反。随着电荷增加、最终电场力与洛仑兹力平衡时 M N ２、霍耳系数的微观解释 　以带负电的载流子的金属导体为例：当电流向右时，导体中电子向左作定向运动，由洛仑兹公式 Ｂ Ｉ fm ﹢ ﹢ ﹢ ﹢ ﹢ ﹢ ﹢ ﹢ fe * 设单位体积内载流子数密度为n，则电流强度为 将上式与实验结果 相比，可知 而由场强与电势的关系有 * ①???说明RH与载流子浓度n成反比： 在金属导体中，载流子浓度很高，故RH↓，UH↓。 在半导体中载流子浓度较低， RH↑，UH↑ ， 即在半导体中霍耳效应比金属中显著。 ＃载流子数浓度与单位体积内的原子数是两码事，不同金属有不同的自由电子数 ②?? 利用霍耳系数的正、负可判断半导体的类型。 若RH＞0 ，为P型半导体 若RH＜0 ，为n 型半导体。 ③?? 大多数金属的霍耳效应为负数，但有一些金属，如Zn,Cs (铯）,Pb,Fe等，它们的RH为正值，对这种现象只能用量子力学加以说明。 * ＊ 当我们推导出RH时，是假定载流子以平均速率v运动的，但实际是不确切的， 例如我们考虑一个简单的模型：载流子在一个自由程里，沿电流方向是作匀加速运动，那么上式就应加以修正。 修正后的 * 3、应用 ①??? 测量半导体的类型 P 型半导体 n 型半导体 fL v v fL 由 UH 的正负就可知道半导体的类型。 I UH B B UH I 若UH＞0 ，为P型半导体 若UH＜0 ，为n 型半导体。 * A、测量微弱的磁场强度 高斯计 利用此原理制成高斯计测量外界磁场。探头用霍耳元件制成，通过测量 UH，折算成 B 。 ②用作传感器 探头 * B、测量大电流----几万安培 B I 用霍耳元件测量大电流周围的磁场，可推算出动力线中流过的电流I 再由无限长电流 I 与 B 之间的关系可知 I 。 * * ③??? 磁流体发电 原理：处于高温、高速的等离子态流体通过耐高温材料制成的导电管时，如果在垂直于气流的方向上加上磁场，则气体中的正负离子，由于受到洛仑兹力的作用，将分别向与Ｖ和Ｂ都相垂直的两个相反的方向偏转，结果在导体管两侧的电极上产生电势差。 电极 发电通道 导电气体 N S * §16-6　磁介质 一、磁介质的分类 物质受到磁场的作用产生磁性的现象叫磁化。 1、物质的磁化 设物质在磁场B0作用下产生磁场B/，则空间总磁场 * 相对磁导率 为磁介质的磁导率 与电介质的类比 所不同的是E/总是与E0反向，而B/则有可能与B0 反向，也可能与B0同向，且不同的介质其B/的大小差异很大。根据B/的方向及大小将磁介质分类为： 介质中，总的磁感应强度与真空中的磁感应强度之比，定义为该磁介质的相对磁导率 * 2、三类磁介质 顺磁质----均匀磁介质中B/与B0同方向、则BB0 ，相对磁导率 如锰、镉、铝等。 抗磁质----均匀磁介质中B/与B0反方向、则BB0 ，相对磁导率 如汞、铋、铜等 铁磁质---- BB0，?r很大且不是常数、具有所谓“磁滞”现象 的一类磁介质。 　但在上述两类磁介质中B/B0,即B?B0 (亦即?r??)它们统称为弱磁物质。 如铁、钴、镍及其合金等。 * 二、弱磁物质的磁化机制 1 、 分子磁矩： 若把分子看成一个整体，这种分子电流具有的磁矩，称为分子固有磁矩或称分子磁矩，用Pm表示。 矢量和 pm S * 当没有外磁场作用时 ： 2、外场 B0引起的附加磁矩ΔPm及附加磁场 B′的方向。 当有外磁场作用时，将引起分子磁矩的变化，在分子上产生附加磁矩ΔPm。 抗磁质分子：固有磁矩Pm = 0，∴∑ Pm = 0 介质不显磁性； 顺磁质分子：固有磁矩Pm≠ 0，由于热运动仍有 ∑Pm= 0也不 显磁性。 * 设电子轨道运动的磁矩为 ，因为电子带负电、所以电子运动的轨道角动量 与磁矩 反方向（如图）。 在外磁场作用下 、电子受磁力矩 根据角动量定理，此力矩等于电子轨道角动量 的变化率，即 电子的进动 与 的方向如图所示，使电子除了轨道运动外还绕以外磁场 方向为轴线转动，这种转动叫电子的进动。进动角速度为 ，方向如图所示。 (1)轨道磁矩为 的电子的进动： * 电子进动的方向是：不论电子原来的轨道角动量方向如何、面对 方向看去，角动量 总是绕 以逆时针方