微波多层电路通孔互连的研究方法导引.pdf

微波多层电路通孑L互连的研究方法导引+ 姬五胜1，李英2 1、兰州城市学院电子信息科学与技术研究所，730070；2、上海大学理学院，200444 摘要：随着微波多层屯路密度的不断提高，芯片(或传输线)互连的不连续性成为制约 其整体性能的瓶颈。本文简要回顾了微波电路的发展历程，介绍了几种流行的互连技术，重 点分析了通孔互连的分析方法。 关键词：微波多芯片组件，互连，通孔，散射参数 1．引言 作为电子学的一个分支一一微波技术问世已有半个多世纪，它发展迅速、应用广泛。六 十年代出现了混合微波集成电路(嘲Ic)，七十年代出现了单片微波集成电路(姗IC)，九十 年代出现了用于毫米波的ElIIC，即微波与毫米波单片集成电路(MIMIC)，随后又出现了三维 (删伽)[1]。微波电路的发展基本上遵循着从低频向高频、从单层到多层的发展历程，最 终导致了微波多芯片组件的产生。 MCM是一种新的集成电路封装形式，是集成电路封装的主要发展方向之一，而3D-MCM以其 优越的性能而倍受重视[2]。与常规的封装形式相比，3D-MCM具有信号传输快、信号带宽大、 信号噪声小、互连效率高、功耗小、组装效率高、成本低、重量轻、体积小、可靠性高等一 Microwave 系列的优点。随着微波电路工作频率的提高，单片微波集成电路(Monolithic Integrated 片载体之问的不适当互连将导致严重的低通不连续性，流行的倒装焊技术可能会引起芯片和 载体的电磁干扰，导致电性能变差，另外毫米波频率封装的壁厚与波长之比增大使馈通元件 的不连续性更为严重。微波MCM能够解决这一问题，在无线通信领域应用日益广泛。 的影响更为显著，导体互连已成为制约大规模集成电路性能的关键问题，研究新型集成电路 互连技术成为电路技术进步的重要途径之一。时延、功耗、噪声是制约MCM性能的关键因素， 随着芯片工作时钟频率的不断提高，EMc／EMI问题将更加突出，研究新型低延时、低功耗、低 耦合的互连结构是亟待解决的前沿课题[4]。互连结构研究的主要目标是提高集成电路的集 成度、速度和可靠性，减少信号传输距离、减少互连线的寄生电容和阻抗是从技术上实现该 目标的关键。 2．微波多芯片组件(MMCM)的几种互连技术 2．1垂直通孔(via)互连 在微波多层电路中，微带线和带状线是应用广泛的微波信号传输线，而垂直通孔互连是 传输线连接的最普遍形式。连接两条微带线的垂直通孔互连的典型结构如图1所示[5]。垂 直通孔互连也可用于共面线与微带线(或带状线)之问的互连。 2．2球栅阵列(BGA)互连[6] ’ 球栅阵列(Ball 之问连接界面，其连接方式为利用表面粘着技术(SMT)，也就是在基板的背面按阵列方式 制出球形触点作为引脚，在基板正面装配LSI(有的球栅阵列的芯片与引出端在基板的同一 面)，是多引脚LSI用的一种表面贴装型封装。图2是IVF公司生产的球栅阵列，引脚问距 I．Omm，焊球数量255个。 ·甘肃省高等学校研究生导师科研项目计划项目(0511-02) 477 图l 多层电路中的垂直通孔互连模型 图2 IVF公司生产的球栅阵列 2．3倒装焊(Flip--Chip)互连 在高密度、高性能封装中，倒装焊互连结构十分普遍。倒装焊互连利用焊盘(Solder Bump)将处在不同层上的信号传输线连接起来，有效地降低了互连长度和高频频段感应电阻。 倒装焊互连结构通常以共面波导(CPW)作为信号传输线，使微波测量更加容易实现。图3 是倒装焊互连的一个典型结构[7]。 矧 (a)顶视图 (b)侧视图‘ 图3 倒装焊互连示意图 2．4叠层通孔的高密度互连 图4展示了一个多层结构MCM的剖面图【8】。在这种结构中，叠层圆台体通孔形成的互 连层和IC芯片直接相连，使得整个模型有出色的电性能。我们看到，每一个通孔是一个圆 台体，它可以嵌入到单层或多层的电介质中。