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微硅压电扬声器木 伍晓明 杨轶朱一平 张宁欣蔡坚王海宁 任天令刘理天 清华大学徽电子学研究所北京 100084 摘要：本文介绍一种利用微机械技术(MEMS)制备的压电式扬声器的制备工艺、测试技术和测试结 果。扬声器的振膜是由压电材料锆钛酸铅(PzT)、二氧化硅和Ti／Pt电极组成的复合膜。通过测试各层材 料的残余应力，综合考虑器件振膜的应力分布，使得振膜中心区域总体呈张应力，形成一个平坦区，周 边总体为压应力，形成皱褶纹膜．纹膜结构有助于提高器件的输出声压．通过设计扬声器振膜尺寸，器 振点54kHz输出的声压为1．26Pa．在较大的驱动电压范围内，每种器件都表现出很好的线性度。 MEMS 关键词：扬声器压电薄膜PZT 1．前言 近几年来，MEMS硅基声学器件被广泛地研究，并在许多领域有潜在的应用前景，例如助听器、消费电 子、军事和工业应用等【l‘3】。与传统的声学器件相比，这些微型器件有许多优点，包括体积小、成本低、以 及可能和信号处理电路集成【21。大部分研究人员主要注重电容式和压电式微麦克风器件的研究。其中，电容 式微麦克风具有较高的灵敏度，但是制备工艺比较复杂。构成敏感电容的气隙很容易由于灰尘或粘连造成器 件的失效。另外，电容式微麦克风还需要较高的偏置电压以达到高灵敏度【4】。压电式声学器件的制备工艺相 对简单，而且不需要偏置电压就能实现信号的读出，动态范围较宽，并且，其工艺与CMOS工艺兼容的历 史已有十余年¨j。 当压电材料受到一定应力作用时，其表面将产生电荷；同样，当对其施加一定电场时，压电材料将产生 形变。这就是所谓的压电效应和逆压电效应。压电式MEMS声学器件就是将由声音引起的振膜的机械形变 转换为电信号，或相反的器件。因此，只需要一个覆盖有压电材料的振膜就能实现机械和电信号之间的相互 转换。 料的应力，可以实现一种具有皱褶纹膜的多层振膜结构。讨论了器件的封装技术，它涉及到了声学结构设计、 振膜保护以及电磁屏蔽pJ。 2．设计与制备 传统扬声器的振膜包括两部分，即一个平面或拱型区域和一个皱褶的边缘区，后者使振膜能够大范围地 运动，提高扬声器的输出声压。这一技术也曾被引入MEMS麦克风的设计，用来提高麦克风的灵敏度睁71。 但是，由于其工艺的复杂性，使得该技术难以在MEMS声学器件中广泛地应用。本文提出利用多层振膜的 残余应力，使振膜的中心区域为张应力，保持平坦，边缘部分为压应力，形成皱褶纹膜。 以下介绍压电式扬声器的制备工艺。首先，在3英寸n型100硅片上分别使用热氧化和低压化学气相 杯底面的厚度剩余509m左右，具有一定的强度，以确保后续工艺的顺利进行。然后，用HF漂掉用于体硅 三次光刻腐蚀形成上下电极的接触孔。然后溅射Al，用刹离工艺形成上下电极的压焊块。最后，对硅片的 ·国家863项目的支持(项目号：2004AA404240)。 493 背面进行ICP刻蚀，形成微扬声器的振膜。经过180CI-5分钟10伏电压的极化：l：艺，PZT薄膜就可以具有 压电特性。图l为压电式微扬声器的工艺流程简图。图2为该器件芯片的SEM照片。然后，微扬声器芯片 用胶粘在PCB板上，通过引线键合的方法将芯片上的压焊块与PCB板连接，实现电信号的输出。整个器件用 一个金属壳保护，金属壳上面开有一个声学孔，使声音能够传播通过。图3为微扬声器的封装示意图和照片。 图l 徽扬声器的工艺流程简图 图2微扬声器芯片的SEM照片 图3微扬声器封装结构图 (a)示意图；(b)照片． 根据Stoney公式。．构成器件各层的薄膜的残余应力可以通过测量硅片的形变曲率半径计算得到f81。表l 即为测量得到的各层残余应力。可以看出，热氧Si02薄膜和PECVDSi02薄膜呈压应力，其余各层都呈张应 力。最大应力产生于Pt上电极中。如果各层薄膜的厚度选择为表l所示的值，振膜中心的上电极区域将呈 张应力，而其边缘区域将呈压应力。这样，整个振膜将呈中间平坦的拱形薄膜。