微通道电泳芯片的一种制作方法.pdfVIP

微通道电泳芯片的一种制作方法 徐良基金庆辉赵建龙徐元森+ 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 1．引言 微通道电泳芯片的基体材料主要有硅片、石英玻璃、普通玻璃和有机高聚物等，每种 材料有不同的制作方法。石英玻璃和普通玻璃具有良好的表面特性、光学特性、电渗性质 和微加工性能，是使用最多的两种材料，而普通玻璃由于成本更低，从应用的角度看更具 有研究价值。 2．实验部分 2．1芯片的材料： 实验中使用的芯片材料为K9光学玻璃(长沙韶光微电子厂)，尺寸为63．5mmX31mm X2mm，已镀铬膜。 2．2芯片的设计： 研究中设计了一种简单的十字型单泳道芯片。电泳芯片的图形如图l所示，其中s 为废液池。 卜——一03．5_————叫 图1电泳芯片结构圈 2．3芯片的制作： 以玻璃为基体材料制作电泳芯片，一般经过刻蚀和键合两步工艺，本文中采用湿法 刻蚀的方法。 将玻璃表面仔细清洗干净并烘干，然后在甩胶机上涂上一层1813#光刻胶。在光刻 机曝光，把掩膜板上的泳道图形转移到玻璃基片上，100℃坚膜1小时。 氢氟酸能快速地腐蚀Si02，一般玻璃的湿法腐蚀都采用氢氟酸做腐蚀液。同时，玻 璃是各向同性的，并且不同种类玻璃的组分也不一样。对玻璃的刻蚀情况和腐蚀液的选 择有很大关系。本实验中使用的腐蚀剂是以氟化铵(NHtF)为缓冲剂的氢氟酸溶液， 由于加入了氟化铵，腐蚀特性能够重复，而且减少了氢氟酸对光刻胶的浸蚀。实验中还 使用了冰醋酸(HAc)为缓冲剂的氢氟酸溶液做腐蚀剂，以做对照。 将刻蚀好的基片与另一片相同材料的盖片清洗干净后，一起用亲合溶液进行亲合处 理，之后清洗烘干，再进行预键合。最后在320℃的退火炉中高温烧结，缓冷出炉。就 制成了以玻璃为基体材料的微通道电泳芯片。 3．结果与讨论 A B 图2采用两种氨氟酸溶液腐蚀的K9光学玻璃放大400倍的扫描电镜照片 其中^以冰醋酸(}|^c)为缓冲剂，B以氟化铵(Nit。F)为缓冲剂 如图2， 图中A雨I B均在水浴40。C条件下腐蚀，A以冰醋酸(HAc)为缓冲剂， B以氟化铵(NH4F)为缓冲剂，两种氢氟酸溶液中HF浓度相同。可以看出，在相同温 度和HF配比浓度的条件下，以氟化铵为缓冲剂比以冰醋酸为缓冲剂腐蚀效果更好，微 通道内壁更光滑，边界更平整。另外，我们在实验中发现采用以氟化铵为缓冲剂的氢氟 酸溶液和40。C水浴的腐蚀条件得到的微通道结构和形貌效果最好。 襄1湿法腐蚀条件与腐蚀深度的关系 表l示出在该腐蚀条件下，腐蚀时间与腐蚀深度的关系。从表中可以看出腐蚀速率 并不均匀，随时间增加而逐渐放缓。 有关该芯片在分离分析方面的应用将在以后报导 9l