快中子辐照直拉硅的退火机制.pdfVIP

a与nd l J 第2 02 ~sp S光pectr煮aA分nalys析is v0“26’Ru“ly7,‘p20妒06卜52 06卷6男膂年7月 聱ec谱trosc学opy 快中子辐照直拉硅的退火机制 帅1，李洪涛2 李兴华1，李养贤“，陈贵锋1，刘丽丽1，蔡莉莉1，杨 1女“B工业大学材料学院，天津300130 2中国原子能科学研究院．北京102413 摘要文章用FTIR和金相显微镜研究丁快中子辐照对直拉硅氧化诱生缺陷的影响。快中于辐照直拉硅 经两步退火后体内产生了大量氧沉淀诱生体层错、位错以及位错环。在500～700℃低温预退火过程中，辐 照缺陷的变化直接影响到后续高温退火后硅片体内氧化诱生缺陷的存在状态。在500℃预处理过程中 VzQ，o_v—O等缺陷的生成，决定了在经过后续高温热处理后的主要氧化诱生缺陷为位错环和层错。 600℃预处理过程中有大体积的三维空位团生成，使得氧杂质在这些区域大量沉淀，在经过高温退火后，这 些区域便生成体积较大的层错和位错环。经过700℃预处理的样品，体内辐照缺陷大量分解，两步退火后样 品体内主要缺陷为位错。 主题词KrlR快中子辆照；辐照缺陷；问隙氧；空位 中圈分类号：0657．3文献标识码：A 文章编号2006)07—0051—02 快中子辐照CZSi，在硅单晶中引人大量的空位(V)和 间隙原子(I)，其中v很容易和氧原子发生复台生成vn(k 复合体，I容易和替位碳原子结合形成问隙碳(ci)口]。这些 复合体的存在改变了氧原于的热处理行为，对随后的热处理 中出现的缺陷类型具有很重要的影响。应用FTIR来研究由 于热处理对快中子辐照直拉硅中氧的行为和辐照缺陷类型的 影响。 本实验样品均取自同一cZ_sI单晶锭，晶向为2．111， n型，初始电阻率为40～60n·cHl，原始间隙氧含量EO,]一 10．3×10”atoms·cm3。样品在中国科学院原子能院进行 快中子辐照，快中子能量为500MeV左右、辐照通量为6．6 o Temperamre／cm ×10”rl·Clll_2·s 1、辐照温度为45℃。实验样品在500， The nwithannealed Fig．1 chan嚣of i00℃4 600，700℃分别预退火1h后，均经过1 h扩散炉 at of500-700℃ temperature 退火。 图1为预退火1h后，快中子辐照样品的间隙氧含量随 时，线状空位变得不稳定，这时三维空位团聚形成。如图2 预退火温度的变化趋势。图2为预退火lh后，辐照样品红 所显示，500℃退火后，样品体内仍会存在v2(X和 外吸收峰的一部分。从图1中可以得出600℃短时退火后， ()V o事与空位相关的空位型辐照缺陷。但是当温度升高 辐照样品中间隙氧含量异乎寻常的低，另外从图2可以看 到600℃，辐照缺陷v2(x和(卜V～O大量分解，其对应的 cm1(vz【)2)和9[9 出，500℃退火出现的辐照缺陷峰825 红外吸收峰几乎消失，它们分解产生的空位在此温度形成三 cm_1((VO)到600℃退火时开始减弱，700℃退火后