晶体管原理-1011概要.ppt

第三章 双极结型晶体管 2) 基区输运系数 基区渡越时间 第三章 双极结型晶体管 基区输运系数 第三章 双极结型晶体管 影响电流放大系数的一些因素 第三章 双极结型晶体管 俄歇复合增强 第三章 双极结型晶体管 3) 表面复合的影响-- 第三章 双极结型晶体管 3.1.5 双极晶体管的直流电流电压方程 第三章 双极结型晶体管 发射结短路时的电流 VBC ≠0, VBE=0—倒向的晶体管 第三章 双极结型晶体管 对于共射电路: 第三章 双极结型晶体管 4. 基区宽变效应 第三章 双极结型晶体管 3.1.6 双极晶体管的反向特性 *Institute of Microelectronics Circuit System 半导体器件原理 2009.03.27 -- I.晶体管的直流特性 内建电场对少子是加速场,使基区渡越时间大为缩短 　　足够大时 -- I.晶体管的直流特性 提高晶体管电流放大系数的主要措施: 3) 电流放大系数 -- I.晶体管的直流特性 势垒区复合电流 2) 发射区重掺杂效应: NB偏低? NE偏高? 发射区禁带变窄 重掺杂时,杂质能级互相靠近形成能带,并与导带交叠,使Eg变窄. 1) 发射结势垒区复合的影响-小电流效应 -- I.晶体管的直流特性 轻掺杂时,非平衡载流子主要通过复合中心进行复合;在重掺杂时,俄歇复合大为增强. 发射区重掺杂的另一个影响--基区陷落效应 -- I.晶体管的直流特性 5) 基区宽变效应 4) 温度的影响 改进：LEC晶体管、HBT -- I.晶体管的直流特性 1. 集电结短路时的电流 VBC=0, VBE≠0 * IES相当于单独一个发射结构成的PN结二极管的反向饱和电流 --1.晶体管的直流特性 * ICS相当于单独一个集电结构成的PN结二极管的反向饱和电流 晶体管的直流电流电压方程 对于共基电路: -- I.晶体管的直流特性 输出特性 共基电路-- 共射电路-- -- I.晶体管的直流特性 厄尔利电压： --- 由于外加电压的变化引起有效基区宽度变化的现象,也称厄尔利(Early)效应. -- I.晶体管的直流特性 晶体管的反向电流 不受输入端电流控制,对放大无贡献,有功耗。 2) IEBO:集电极开路、发射电结反偏时,基-射极间的反向电流. 1) ICBO:发射极开路、集电结反偏时,集-基极间的反向电流. 浮空电势-- *Institute of Microelectronics Circuit System 半导体器件原理 2009.03.27 * * * *