晶体管原理-1213概要.ppt

第三章 双极结型晶体管 3.1.6 双极晶体管的反向特性 第三章 双极结型晶体管 3) ICEO: 基极开路、集电结反偏时，集-射极间的反向电流。 第三章 双极结型晶体管 2) BVCEO: 基极开路时,集-射极间的击穿电压. (共射雪崩击穿电压) 第三章 双极结型晶体管 发射极与基极间有外接电路时 第三章 双极结型晶体管 3) 基区穿通电压: 集电结上反向电压增加,势垒区向两侧扩展,基区宽度WB减小,当集电结发生雪崩击穿前WB减小为零,称基区穿通,这时集电结上的电压称为基区穿通电压Vpt。 第三章 双极结型晶体管 3.1.7 基极电阻 基区中的两种电流：少子电流与多子电流 基极电阻：IB经基极引线到工作基区,要产生压降，经过一定的电阻,称基极电阻。 直流应用中电流集边效应,交流应用中会产生电压反馈，设计管子时要尽可能减小基极电阻。 第三章 双极结型晶体管 1)欧姆接触电阻 第三章 双极结型晶体管 减小基极电阻的方法 第三章 双极结型晶体管 第二节 晶体管的频率特性 *Institute of Microelectronics Circuit System 半导体器件原理 2009.04.03 -- I.晶体管的直流特性 晶体管的反向电流 不受输入端电流控制,对放大无贡献,有功耗。 2) IEBO: 集电极开路、发射电结反偏时，基-射极间的反向电流。 1) ICBO: 发射极开路、集电结反偏时，集-基极间的反向电流。 浮空电势-- -- I.晶体管的直流特性 击穿电压 BVCBO: 发射极开路时,集-基极间的击穿电压，又称共基极(雪崩)击穿电压。 BVEBO: 集电极开路时,射-基极间的击穿电压,又称发射结击穿电压。 共基电路中: 发生雪崩倍增效应时 击穿条件： -- I.晶体管的直流特性 雪崩倍增效应对共射接法比对共基接法的影响大得多. 负阻特性--原因:小电流 的下降 发生雪崩倍增效应时 击穿条件： -- I.晶体管的直流特性 BVCEX: 基-射极间接电阻Rb时和反偏电压VBB时，C-E极间的击穿电压； BVCER: 基-射极间接电阻Rb时，C-E极间的击穿电压； BVCES: 基极发射极短路时， C-E极间的击穿电压。 -- I.晶体管的直流特性 一般只有IC中的横向管,基区低掺杂的Ge合金管,易发生基区穿通,对于Si平面管,集电区杂质最低，势垒区向集电区扩展，一般不会发生基区穿通，但若pn结不平有尖峰例外。 发射极开路 BVCBO=Vpt+BVEBO (或BVCBO=VB,两者取小) 基极开路 BVCEO=Vpt+VF ?Vpt (BVCEO ? , 两者取小) -- I.晶体管的直流特性 基极电阻由四部分串联构成 :基极金属电极与半导体的欧姆接触电阻 :基极金属电极正下部的电阻 :发射极与基极间的电阻 :发射区正下部的电阻(工作基区的电阻) -- I.晶体管的直流特性 2)发射极与基极间的电阻 3) 发射区下的电阻与工作基区的电阻 -- I.晶体管的直流特性 (1)基区杂质浓度; (2)宽长比S/l ; (3)发射极条个数 (4)欧姆接触 概述——晶体管中高频小信号电流的变化 b b e c CTE CDE CTC 晶体管中电容 小信号条件下：信号电压的振幅远小于(kT/q). 符号说明 直流分量 小信号分量 小信号分量幅值 总瞬时值 信号角频率 两个结果： 电流增益下降 与信号延迟 *Institute of Microelectronics Circuit System 半导体器件原理 2009.04.03 * * * *