新型nSnO2ITOSiOxnppSi太阳电池能带结构的理论设计.pdf

·646-中国太阳能光伏进展 电池能带结构的理论设计 陈庭金汤叶华王履芳 张鹤仙夏朝凤姚朝晖 云南师范大学太阳能研究所云南昆明650092 【摘要】 本文基于半导体的能带理论在选定的半导体材料Sn02(或ITO)，Si的能带参数： 太阳电池的能带结构进行了理论设计。给出了当n—Si区的掺杂浓度ND=2×101： 区掺杂浓度p“+一10侈cm～，则可以构造出具有满意能带结构的新型n+-Sn02 的理论表达式。讨论了这类结构电池的设计改进和制作方法。 【关键词】 sn02si太阳电泡能带理论 The BandTheoreticalofa Energy DesignNew-typen+-Sn02(ITO) SolarCell ／SiOJn·P·p+·Si ， Yehua Xia HexianYaoZhaohui Chen13njingTang WangLuFangChaofengZhang of Solar ResearchInstituteYunnanNormal 650092China Energy UniversityKunming 0引言 太阳电池经过近几十年的研究，在理论、实验和应用研究上都获得极好的成绩。从大规 模应用太阳电池来讲，研制高效率、低成本太阳电池，仍是重要目标。目前，世界上实际应 用的太阳电池仍以硅太阳电池为主，其原因是si材料电池除能满足低成本外，其光电转化效 率最高已达24．7％【l】，这是令人们非常满意的结果，且是近理论极限水平的研究成果。从高 效率的要求来说，研究多结级联太阳电池是重要途径，侧如：GaAs／GaSb双结级联电池，转 作费用均太高，难于在地面太阳电池发电站中采用。研制薄膜太阳电池是寻求低成本的重要 基础研究、新材料及新概念太阳电池 ．647． 本两全其美的要求。+因此，仍有很多工作等待研究者们去作。． 我们认为：为满足高效率低成本太阳电池的要求，应充分利用半导体能带工程，设计并 研制出体材料和薄膜材料相合；薄膜和薄膜材料相结合的异质结和同质结级联的太阳电池， 要在这种半导体材料系统中产生较强的光伏效应必须在半导体材料系统中建立强的内建静电 场和有效力场区。一般来讲，要在半导体材料系统中建立起强的内建静电场，须在两种不同 材料间构成界面的空间电荷区，即P／N结区、肖特基区等。在这种势垒区中形成一定的内建 静电场，要形成一个有效力场，则需存在一个区域，在其中半导体材料的组分等要发生不断 的变化，以至使材料的性质发生变化而产生一定的有效力场。这是半导体材料系统中的光伏 效应的基本电池结构。’若采用常规的简单的制作工艺就能实现这些电池结构，这是理想的途 径。本文设计的n+-Sn02(ITO)／n—P·P+rSi太阳电池便是基于这种思想的尝试。 Lrl+一5nO：(frO)／n—P—P+一Si太阳电池的能带结构 半导体异质结和p-n结的能带结构的完全确定。首先，要知道半导体材料的电子亲和能， 带隙宽度和掺杂半导体的费米能级(或相应的掺杂浓度)；其次；根据掺杂浓度和载流子浓度， 由结区的泊松方程(或相应的能带方程)可以求得结区的电势分布和相应结区势垒高度和宽 度，从而能带结构完全确定。 ’ 1．1 n—Si，P—Si，p+一Si的费米能级和掺杂浓度 由半导体物理学【21知道，对于给定的非简并掺杂半导体(si)在热平衡状态下导带中的 ． ，㈩ ．．，zo=吩exp(警b邓xp(竽] 在室温下，对非简并n—Si，P·Si半导体，其中浅能级杂质将全部电离，并分别提