第3章逻辑门电路重点.doc

第3章 逻辑门电路 ???? 一、学习目的 ??? ????? 二、内容概要 ??? ??? 三、学习指导 ??? 本章重点：三极管的开关特性，组合逻辑门电路的逻辑关系，TTL集成逻辑门电路的类型系列和各自的特点，CMOS集成逻辑门电路的特点，集成逻辑门电路的应用，掌握OC门、三态门的工作特点。 ??? 本章难点：TTL电路和CMOS电路的接口。 ??? 方法提示: 理解三极管的开关特性，对分立元件的门电路不用做具体的分析计算，对各类系列的逻辑门电路主要掌握其特点。 　 ?3、1 教学要求 ???????????????????????????? 了解正、负逻辑的电平对比。 ???????????????????????????? 了解数字信号的电平容限。 ??? 41页图3.1.1正逻辑和负逻辑第 ??? 在数字电路中，只要能明确区分高电平和低电平两个状态就可以了，所以，高电平和低电平都允许有一定的变化范围，如下图所示。 ?3、2 教学要求 ????????????????????????? ? 理解三极管开关特性。 ????????????????????????? 理解二极管门电路的结构和特点 ????????????????????????? 了解三极管非门电路的结构特点 ?? 1、静态开关特性 ??? 在数字电路中，三极管是作为一个开关来使用的，它不允许工作在放大状态，而只能工作在饱和导通状态（又称饱和状态）或截止状态。 请看下面的分析。 ????(1)、截止 ??? 时，基射间的电压小于其门限电压Uth（0.5V）,三极管截止，电流≈0，电流≈0，输出＝≈VCC，这时，三极管工作在上图中的A点。为了使三极管能可靠截止，应使发射结处于反偏，因此，三极管的可靠截止条件为:。三极管截止时，E、B、C三个极互为开路。 ??? (2)、饱和 ??? 当输入时，使三极管工作在临界饱和状态，如上图中的S点。在该点上： ??? 因此，三极管饱和条件为： ????????????????????????? ??? 当三极管饱和时， 达到最大； 达到最小。C、B、E为连通。 ??? 三极管工作在开关状态时，其内部电荷的建立与消散都需要一定的时间。因此，集电极电流 iC的变化总是滞后于输入电压ui的变化，这说明三极管由截止变为饱和或由饱和变为截止都需要一定的时间。 ??? 当输入ui由UR正跳到UF时，发射区开始向基区扩散电子，并形成基极电流iB。同时基区积累的电子流向集电区形成集电极电流iC。随着基区积累电子的增多，iC不断增大，直到最大值IC（sat），三极管进入饱和状态。这时，如iB继续增大时，基区内存储电荷更多，三极管饱和加深。通常把从ui正跳变开始到iC上升到0.9IC（sat）所需的时间称为开通时间，用ton表示。 ??? 当输入ui由UR正跳到UF时，基区中存储的大量电荷开始消散，在存储电荷消散前，iC＝IC（sat）不变。随着存储电荷的消散，三极管的饱和深度变浅。存储电荷消失后，三极管进入放大区并转向截止。通常把从ui负跳变开始到iC下降到0.1IC（sat）所需的时间称为关断时间，用toff表示。 ??? 3、抗饱和三极管 ??? 三极管饱和越深，开关速度越低。因此，要提高电路的开关速度，就必须使三极管工作在浅饱和状态，减少存储电荷的消散时间，为此，需要采用抗饱和三极管。 ?? 在普通双极型三极管的基极B和集电极C之间并接一个肖特基势垒二极管（简称SBD）便构成了抗饱和三极管，由于SBD的开启电压只有0.3V，其正向压降约为0.4V，它远比普通硅二极管0.7V的正向压降小得多。因此，当三极管进入饱和状态时，其集电结为正偏。这时，SBD导通，使B、C极间的电压被钳在0.4V上，并分流部分基极电流，从而使三极管工作在浅饱和状态。 ??? 二、二极管门电路 ??? 1、二极管与门电路 ??? 工作波形当输入A＝B＝0V时，二极管VD1和VD2都导通，输出Y＝0.7V，为低电平。 当输入A＝0V、B＝3V时，VD1优先导通，输出Y＝0.7V，为低电平，使VD2反偏截止。 当输入A＝3V、B＝0V时，VD2优先导通，输出Y＝0.7V，为低电平，使VD1反偏截止。当输入A＝B＝3V时，VD1和VD2仍导通 ，输出Y＝3.7V，为高电平。 ??? 2、二极管或门电路、三极管非门电路 二极管或门电路 三极管非门电路 ??? 另外，利用二极管和三极管可