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《材料科学基础》总复习 第一章 材料的结构与键合 1、金属键、离子键、共价键、范德华力、氢键、分子键的特点。利用结合键解释材料的一些性能特点。 本章重点： 金属键、离子键、共价键的特点。 第二章 固体结构 1、晶体与非晶体的区别（在原子排列和性能上的区别） 。 2、空间点阵、晶格、晶胞、7大晶系及各自的特点，14种布拉菲点阵、晶格常数。 3、晶面指数、晶面族、晶向指数、晶向族、晶带和晶带定理、晶面间距、配位数、致密度、八面体间隙、四面体间隙。各向同性与各向异性及实际晶体的伪各向异性、同素异构转变(重结晶)、多晶体与单晶体、晶粒、晶界。注意如下规律： （1）指数相同的晶向和晶面必然垂直。如[111]⊥(111) （2）当一晶向[uvw]位于或平行某一晶面（hkl）时，则必然满足晶带定理：h·w+k·v+l·w=0 （3）晶面间距与原子排列的关系。 （4）晶向族和晶面族的意义。 4、三种典型晶体结构 （1）能绘出三维的体心、面心立方和密排六方晶胞。根据原子半径计算出金属的体心和面心立方晶胞的晶胞常数。 （2）三种典型晶体结构的特征[包括：晶胞形状、晶格常数、晶胞原子数、原子半径、配位数、致密度、各类间隙尺寸与个数，最密排面（滑移面）和最密排方向（滑移方向）的指数与个数，滑移系数目等]。 （3）结合第五章塑性变形的内容必须能判断常见金属材料的塑性变形能力，能给出滑移系的指数并画出晶胞指出的滑移面和滑移方向。 （4）能标注和会求上述三种晶胞的晶向和晶面指数。晶向和晶面指数的一些规律。求晶面间距d（hkl）。 （5）同素异构转变时的变化。 （6）最密排面的堆垛顺序。 5、晶面间距：d(hkl) 的求法：记住立方晶系面间距的求法，注意以上公式仅适用于简单晶胞，复杂晶胞要考虑其晶面层数的增加。 6、合金相的分类； 合金相结构的基本概念与区别。 固溶体的分类、特点和性质，影响固溶体固溶度的因素； 固溶体和中间相的类型、特点，他们在结构和性能上的差异。 比较间隙固溶体、间隙相、间隙化合物的结构和性能。 7、合金、相、组元、组织（显微、宏观） 、固溶体、中间相、间隙固溶体、置换固溶体、有序固溶体、无序固溶体、有限固溶体、无限固溶体、间隙相、间隙化合物、电子浓度、电负性、电子化合物、正常价化合物、超结构、单相合金、多相合金、机械混合物。（掌握概念及形成条件） 8、区别概念：晶体与非晶体，空间点阵和晶体结构，相和组织，固溶体和中间相， 间隙固溶体和置换固溶体，电子化合物和正常价化合物，间隙固溶体和间隙化合物、间隙相。 第三章 晶体缺陷 1、各类缺陷的认识（点、线、面缺陷定义和特征）。 2、点缺陷、Schottky空位、Frankel空位、间隙原子、置换原子。点缺陷的特征、平衡浓度公式及应用。 3、线缺陷、位错、位错线、刃型位错、螺型位错、混合型位错、柏氏矢量、位错运动、滑移、交滑移、双交滑移、多滑移、攀移、交割、割价、扭折、塞积。 （1）位错类型（刃型、螺型、混合型位错）的判断及其特征； （2）柏氏矢量的确定方法及表示法，柏氏矢量的物理意义及特征。 （3）位错线、柏氏矢量、位错类型、位错运动与作用在位错上的切应力之间的关系。 （4）用柏氏矢量判断位错类型、外加切应力大小； （5）滑移，攀移及交滑移的条件、过程和结果。 （6）位错的运动（滑移）和交割。交割所形成割阶和扭折的类型。位错的滑移所需要的力； （7）位错源、位错的增殖（F-R源、双交滑移过程及图示）和运动、交割； （8）位错的密度，位错反应的条件、线张力。 4、位错密度、位错源、位错生成、位错增殖（F-R源、双交滑移等）和运动、位错的交割、位错分解与合成、位错反应、位错反应的条件、 全位错、单位位错、不全位错（部分位错）、堆垛层错、Shokley不全位错、Frank不全位错、作用在位错上的力； 5、面缺陷、表面、表面能（或表面张力）、界面、界面能、晶界、相界、小角度晶界、大角度晶界、共格相界、非共格相界、半共格相界、错（匹）配度。 6. 晶界（大