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第 6 章存储系统 6.1 存储系统层次结构 6.2 主存储器 6.3 高速缓冲存储器Cache 6.4 存储管理 6.1 存储系统层次结构 存储系统的概念 当前制造工艺的存储器件 半导体 磁盘 光盘 存储系统技术指标 容量 速度 价格 6.1.1 技术指标 1.存储容量 半导体存储器芯片:以位b(Bit)为基本单位 主存存储容量:以字节B（Byte)为基本单位 存储容量其他单位 2.存取速度 存取时间 存取周期 6.1.2 层次结构 寄存器 高速缓存（Cache） 主存储器 辅助存储器 存储系统的层次结构 6.1.3 局部性原理 层次结构解决存储器件的容量、速度和价格矛盾。 各种特性的存储器件互相折中形成的存储器系统之所以具有出色的效率来源于存储器访问的局部性原理。 局部性原理定义 CPU访问存储器时，无论是存取指令还是存取数据，所访问的存储单元都趋于聚集在一个较小的连续区域中。 三种不同类型的局部性: 　　 时间局部性（Temporal Locality） 如果一个信息项正在被访问，那么在近期它很可能还会被再次访问。 　　 　　 空间局部性（Spatial Locality） 在最近将用到的信息很可能与现在正在使用的信息在空间地址上是临近的。 　　 顺序局部性（Order Locality） 在典型程序中，除转移类指令外，大部分指令是顺序进行的。顺序执行和非顺序执行的比例大致是5:1。此外，对大型数组访问也是顺序的。 求平均值函数 long mean(long d[], long num) { long i,temp=0; for(i=0; inum; i++) temp=temp+d[i]; temp=temp/num; return (temp); } 6.2 主存储器 主存储器由半导体存储器构成 按制造工艺，半导体存储器可分为 “双极型”器件：存取速度快、集成度低、功耗大、价格高等特点，主要用于高速存储场合。 “MOS型”器件：速度较双极型器件慢，集成度高、功耗低、价格便宜。 按使用属性，半导体存储器可分为 读写存储器RAM 只读存储器ROM 6.2.1 读写存储器 读写存储器 半导体存储器采用随机存取 顺序存取（磁带存储器） 直接存取（磁盘和光盘） 半导体读写存储器是挥发性（Volatile）RAM，即断电后原保存信息丢失 1. 主要类型 SRAM（静态RAM：Static RAM） 以触发器为基本存储单元 不需要额外的刷新电路 速度快，集成度低，功耗和价格较高 DRAM（动态RAM：Dynamic RAM） 以单个MOS管为基本存储单元 要不断进行刷新（Refresh）操作 集成度高、价格低、功耗小，但速度较SRAM慢 NVRAM（非易失RAM：Non-Volatile RAM） 带有后备电池的SRAM芯片 断电后由电池维持供电 2. 存储结构 存储器芯片具有大量存储单元 每个存储单元拥有一个地址 存储1/4/8/16/32位数据 存储器芯片结构： 存储单元数×每个存储单元的数据位数 ＝2M×N＝芯片的存储容量 M＝芯片地址线的个数 N＝数据线的个数 3. 静态读写存储器SRAM 主要被用于小型微机系统 多为“存储单元数×8”的存储结构 6264 SRAM芯片 芯片容量：64K位 存储结构：8K×8 28脚双列直插（DIP） 13个地址线：A12～A0 8个数据线：D7～D0 控制引脚：CS1*，CS2，OE*，WE* 无连接：NC（No Connect） 6264 SRAM的引脚 SRAM的控制信号 片选（CS*或CE*） 片选有效，才可以对芯片进行读/写操作 无效时，数据引脚呈现高阻状态，并可降低功耗 读控制（OE*） 芯片被选中有效，数据输出到数据引脚 对应存储器读MEMR* 写控制（WE*） 芯片被选中的前提下，若有效，将数据写入 对应存储器写MEMW* 6264 SRAM的引脚功能表 4. 动态读写存储器DRAM DRAM芯片用一组地址引脚传送两批地址 第一批地址称行地址 用行地址选通信号RAS*下降沿锁存 第二批地址称列地址 用列地址选通信号CAS*下降沿锁存 一个信号WE*实现读写控制 数据输入引脚Din 数据输出引脚Dout DRAM的引脚图 5. DRAM的刷新 DRAM内部 有“读出再生放大电路”的刷新电路 设计有仅行地址有效的刷新周期 每次刷新一行存储单元 6.2.2 只读存储器 正常的工作状态，ROM只能读出 特殊的编程状态，多数ROM芯片也能写入 有些ROM芯片需要特殊方法先将原数据擦除，然后才能编程 ROM芯片的集成度较高，但速度较DRAM还要慢，一般用来保存固定的程序或数据 1. 主要类型 MROM（掩膜ROM）