材料第六扩散.pptVIP

第六章 扩散 虽然式(6．9)是从简单立方结构晶体的扩散推导得来的，但它也同样适用于其他固溶体的扩散，只是扩散系数将作相应的调整。若体心立方及面心立方结构的点阵常数为“，则相邻两原子面间距为“／2，每次跳动原于移动的距离对于体心立方为点“／2，对于面心立方为瓜／2，但它们有效跳动距离均为“／2，而有效跳动几率对于体心立方为4／8，对于面心立方为4／12。所以可以采用上述的方法求出F5ck第一定律，并求出扩散系数D。对于体心立方结构，有 2．硅晶片的掺杂扩散 将杂质扩散进入硅晶片以改变其导电特性是生产现代集成电路的一个重要环节。具体的方法是将硅晶片放在温度约为1100℃的石英炉中，并使其表面暴露在适当杂质蒸气中，硅晶片表面不希望渗入杂质的部分必须遮住。与钢制零件的气体渗碳一样，扩散进入硅表面的杂质浓度随着离表面深度的增加而减小，改变扩散时间也会改变杂质的浓度分布。 第七章 相图 式(6．29) 为Darken公式，推导时假设在扩散过程中，点阵常数不变，晶体中各点的密度不变，横截面的面积不变。但是，实际情况与这些假设是不完全相同的，扩散后浓度要发生变化，因此，点阵常数也要发生变化。扩散过程常在低熔点金属的一边形成分散的或集中的空位，其总数超过平衡空位浓度；而另一边的空位浓度将减少至低于平衡空位浓度，因此，也改变了晶体的密度。试验中还发现试样的横截面同样发生了变化，例如Ni-Cu金属对经扩散后，在原始分界面附近铜的横截面由于丧失原子而缩小，镍的横截面由于得到原子而膨胀，如图6．9所示。 从Kirkendall的宏观效应可以推论扩散的微观机制，也就是说扩散过程是扩散原子与空位换位的机制。在原子扩散流的反方向存在有空位的流动，如有Kirkendall效应现，说明存在一个净空位流，其流动方向与界面的移动方向一致。这一扩散机制一方面要求有产生空位的源，另一方面又要求有吸收空位的可能。而金属晶体内部位错的存在，可以提供空位源，由于热力学上的不平衡，可以促使原子与空位的交换，从而导致空位的流动 5．5．扩散现象的一些实验规律 在扩散过程中扩散系数D并不是一个不变的常数，它是晶体结构、原子尺寸、合金成分与温度等的函数。当这些内部条件和外部条件都固定时，扩散系数D才是一个确定的常数；而当这些条件发生变化时，扩散系数D也会发生改变。为了讨论的方便，下面将研究这些条件分别变化时，对扩散过程的影响。除讨论点阵扩散外，也对沿晶界、表面及位错进行扩散的现象进行讨论。 (1)晶体结构及原予尺寸对扩散的影响 晶体结构反映了原子(离子)在空间排列的情况。扩散时原子要发生移动就必须克服周围原子对它的作用力。原子排列越紧密，原子间的结合力愈强，此时扩散激活能就愈大，而扩散系数D就愈小。 金属的熔点高低和熔化时潜热的大小都反映了金属内部原子间作用力的大小，实际上也反映了激活能的高低。实验结果表明，纯金属的自扩散激活能⊿E*与熔点和熔化潜热之间存在下列关系： 在910℃时，Dα-Fe／Dγ-Fe＝317。同样，碳在铁素体中的扩散能力比在相同温度下在奥氏体中的扩散能力大100倍。 在二元合金中，间隙原子通常存在于间隙位置，其激活能量⊿E*值一般低于置换原子的⊿E*值。 例如H，C及N在α-Fe中的⊿E*值分别为8.2 kJ／mo1，85.4 kJ／mo1和76.2 kJ／mo1 ，而置换原子在α-Fe中的⊿E*值在185-335kJ／m01范围内，多数在kJ／mo1左右。 从置换原子的原子尺寸因素及电子因素可以大致理解它们的扩散系数大小，概括地说，固溶体中组元的原子尺寸因素相差愈大，畸变能就愈大，溶质原子离开畸变位置进行扩散愈容易，则⊿E*愈小，而D值愈大；组元间的亲和力愈强，即负电性相差愈大，则溶质原子的扩散愈困难。Byrakov在研究了扩散原于尺寸的影响后，提出了下述的经验公式： 扩散常数与温度无关 自扩散活化能（⊿E*） (3)扩散系数和浓度的关系 为了计算方便，实际上常假定扩散系数与浓度无关，但是应该知道这一假设是有误差的。图示 如果扩散发生在较小的浓度范围内或稀固溶体中，那么即使假定扩散系数D为常数，所起的误差也是不大的。 一般说来，扩散系数D随着低熔点组元浓度的增加而增加，这是由于低熔点组元浓度的曾加降低了扩散激活能⊿E*，因此使扩散系数增大。 在溶剂中含少量杂质时，形成所谓稀固溶体。而当浓度趋近零时，扩散系数D接近自扩散系数。实验证明，若在溶剂晶体中含有微量杂质，此时溶剂的自扩散系数会发生显著的改变，而杂质在溶剂中的扩散系数既和本身为纯金属时不同，也和溶剂的不同。 例如在1000 K时，纯银的自扩散系数为1．1×10-14cm2／s，纯铜为1．67×10-10cm2 ／s。若银中溶有0．7％原子