电力电子技术第四节讲义.pptVIP

半控型器件——晶闸管 0~ωt1： u20，但ug=0，VT不导通， i2=0， ud=0，uVT=u2 ωt1~p：u20，触发VT（ug0），VT导通，uVT=0 ， ud=u2 p ~ 2p ： u20，VT电流降为零，不导通，ud=0 ，uVT=u2 半控型器件——晶闸管 晶闸管主要参数 断态重复峰值电压UDRM： 在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压。 反向重复峰值电压URRM ： 在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。 半控型器件——晶闸管 通态平均电流 IT（AV） (标称电流) 在环境温度为40?C和规定冷却状态下，不超过额定结温时允许流过的最大工频正弦半波电流平均值。 半控型器件——晶闸管 半控型器件——晶闸管 半控型器件——晶闸管 断态电压临界上升率du/dt: 指在额定结温和门极开路的情况下，不导致晶闸管从断态到通态转换的外加电压最大上升率 通态电流临界上升率di/dt: 在规定条件下，晶闸管能承受无有害影响的最大通态电流上升率。如果电流上升太快，可能造成局部过热而使晶闸管损坏。 半控型器件——晶闸管 晶闸管的派生器件 快速晶闸管 双向晶闸管 逆导晶闸管 光控晶闸管 典型全控型器件 典型全控型器件 门极可关断晶闸管 GTO 电力晶体管 GTR 电力场效应晶体管 Power MOSFET 绝缘栅双极晶体管 IGBT 门极可关断晶闸管 GTO 门极可关断晶闸管GTO Gate-Turn-Off Thyristor ： 晶闸管的一种派生器件,多元集成的结构。可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。 门极可关断晶闸管GTO GTO能够通过门极关断的原因（与普通晶闸管区别）： 导通时饱和程度低，接近临界饱和，有利门极控制关断，但导通时管压降增大。 使晶体管V2电流增益较大，控 制灵敏，起主要作用，易于控制GTO。 多元集成结构，能从门极抽出较大电流。 门极可关断晶闸管GTO GTO的主要参数 （1）最大可关断阳极电流IATO （2）电流关断增益?off：最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值IGM之比称为电流关断增益。 门极可关断晶闸管GTO GTO性能特点： GTO的电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有应用。 现在最大容量6KV/4KA，开关速度10微秒级，开关频率1—10KHZ，略高于晶闸管。导通压降2-3V、比晶闸管略高。 电流型驱动器件，所需驱动电路功率较大。 实际使用时，常做成逆导型器件。 电力晶体管 GTR 电力晶体管GTR Giant Transistor： 耐高电压、大电流的双极结型晶体管。与普通的双极结型晶体管原理基本相同。采用集成电路工艺将许多单元并联而成 。 电力晶体管GTR GTR 静态特性： 共发射极接法时的典型输出特性：截止区、放大区和饱和区。 在电力电子电路中GTR工作在开关状态。 在开关过程中，即在截止区和饱和区之间过渡时，要经过放大区。 电力晶体管GTR GTR工作特点： 应用中，GTR一般采用共射接法，通过基极电流控制极电极电流。 GTR的电流放大系数? ：集电极电流ic与基极电流ib之比 单管GTR的? 值比小功率的晶体管小得多，通常为10左右，采用达林顿接法可有效增大电流增益. 不存在内部的电流正反馈，开关特性好于GTO。 电力场效应管 POWER MOSFET 电力场效应管 POWER MOSFET POWER MOSFET 采用多元集成结构的金属氧化物绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor FET） 电力场效应管 POWER MOSFET N沟道增强型电力MOSFET工作原理 电力场效应管 POWER MOSFET 分类： 按导电沟道性质分： N沟道和P沟道。 按导电沟道的变化趋势： 增强型和耗尽型。 电力MOSFET主要是N沟道增强型,栅极电压大于零时产生N型导电沟道。 电力场效应管 POWER MOSFET 电力MOSFET的静特性： 转移特性：漏极电流ID和栅源间电压UGS关系 跨导Gfs： ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导 电力场效应管 POWER MOSFET 电力MOSFET的静特性： 漏极伏安特性：在不同栅源电压下，漏极电流随漏源电压的变化特性。 截止区 饱和区 非饱和区 电力MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。 电力场效应管 POWER MOSFET 电力MOSFET的动特性： 开通过程 开通延迟时间td(on) 上升时间tr 开通时间： ton= td(on) +tr 关断过程 关断延迟时间td(off） 下降时间tf