材料科学基础总结(金属).doc

其内部结构包括四个层次：①原子结构；②结合键；③原子的排列方式；④显微组织共价晶体特点结构稳定,熔点高,质硬脆,一般是绝缘体,其导电性能差。 离子键的特点常温下，电绝缘体；在高温熔融状态时，正负离子在外电场作用下可以自由运动，即呈现离子导电性。离子键没有方向性、无饱和性。 离子晶体的特点离子键很强，故有高硬度、熔点，强度大，固体下不导电，熔融时才导电。离子间发生相对位移，电平衡破坏，离子键破坏，脆性材料。较高熔点（正、负离子间有很强的电的吸引力 ） 金属键的定义由金属正离子和自由电子之间互相作用而结合称为金属键。 金属键的特点金属键无方向性，金属键无饱和性，具有高对称性。 金属键型晶体的特征良好的延展性良好的导电性具有正的电阻温度系数导热性好金属不透明、具有金属光泽（自由电子可吸收可见光的能量 ） 范德瓦尔斯键没有方向性和饱和性。 晶体的定义物质的质点(分子、原子或离子)在三维空间作有规律的周期性重复排列所形成的物质叫晶体。 非晶体在整体上是无序的 ；近程有序 。 晶体的特征（1）周期性（不论沿晶体的哪个方向看去，总是相隔一定的距离就出现相同的原子或原子集团。这个距离称为周期 ）液体和气体都是非晶体。（2）有固定的凝固点和熔点（3）各向异性（沿着晶体的不同方向所测得的性能通常是不同的 ：晶体的导电性、导热性、热膨胀性、弹性、强度、光学性质 ）。 晶体与非晶体的区别 a.根本区别：质点是否在三维空间作有规则的周期性重复排列 b.晶体熔化时具有固定的熔点,而非晶体无明显熔点,只存在一个软化温度范围 c.晶体具有各向异性，非晶体呈各向同性（多晶体也呈各向同性，称“伪各向同性”） 点代表原子(分子或离子)的中心，也可是彼此等同的原子群或分子群的中心，各点的周围环境相同。这种点的空间排列称为空间点阵。 将阵点用一系列平行直线连接起来，构成空间格架叫晶格。 从点阵中能保持点阵特征的最基本单元叫晶胞。 晶面族：晶体中具有相同条件（原子排列和晶面间距完全相同），空间位向不同的各组晶面，用{hkl}表示。 若晶面与晶向同面，则hu+kv+lw=0;.若晶面与晶向垂直，则u=h, k=v, w=l。如(111)与[111]互相垂直，(110)与[110]互相垂直 相交于某一晶向直线或平行于此直线的晶面构成一个晶带，此直线称为晶带轴.同一晶带中的晶面叫共带面。 设晶带轴的指数为[uvw]，则晶带中任何一个晶面的指数（hkl）都必须满足：hu+kv+lw=0，满足此关系的晶面都属于以[uvw]为晶带轴的晶带。 已知两个非平行的晶面指数为（h1k1l1）和（h2k2l2）则其交线即为晶带轴的指数。 u=k1l2－k2l1 ，v=l1h2－l2h1 ，w=h1k2－h2k1 晶面间距（即相邻的两个平行晶面之间的垂直距离） 低指数的晶面其面间距较大，而高指数面的面间距小。例：{100}面的晶面间距最大，{120}面的间距较小，而{320}面的间距就更小。 晶面间距 晶面夹角 配位数（CN）：晶体结构中任一原子周围最近且等距离的原子数。 致密度（K）：晶胞中原子所占的体积分数， n为晶胞原子数，v原子体积，V晶胞体积。 二、晶体缺陷 把实际晶体中偏离理想点阵结构的区域称为晶体缺陷。 点缺陷：在三维方向上尺寸都很小（远小于晶体或晶粒的线度）的缺陷。 金属中常见的基本点缺陷有空位、间隙原子和置换原子。 空位：空位就是未被占据的原子位置； 间隙原子：间隙原子可以是晶体中正常原子离位产生，也可以是外来杂质原子； 置换原子：位于晶体点阵位置的异类原子。 离位原子迁移到晶体的表面上，这样形成的空位通常称为肖脱基缺陷； 可迁移到晶体点阵的间隙中，这样的空位称弗兰克尔缺陷。 晶体中点缺陷的存在，一方面造成点阵畸变，使晶体的内能升高，增大了晶体的热力学不稳定性；另一方面，由于增大了原子排列的混乱程度，并改变了其周围原子的振动频率，又使晶体的熵值增大。熵值越大，晶体便越稳定。 点缺陷对性能的影响：（1）点缺陷存在使晶体体积膨胀，密度减小。（2）点缺陷引起电阻的增加。（3）过饱和点缺陷（如淬火空位、辐照缺陷）还提高了金属的屈服强度。 空位是热力学上稳定的点缺陷 线缺陷就是在两个方向上尺寸很小，在一个方向上尺寸很大的缺陷。位错是晶体内部一种有规律的管状畸变区 位错可分为刃性位错和螺型位错。 把多余半原子面在滑移面以上的位错称为正刃型位错，用符号“┻”表示；反之为负刃型位错，用“┳”表示。 滑移面必定是同时包含有位错线和滑移矢量的平面， 螺型位错的结构特征：无额外的半原子面，原子错排程轴对称，分右旋和左旋螺型位错； 一定是直线，与滑移矢量平行，位错