第三章测验(上)答案.doc

第三章 测验题（上）一．填空 1、按杂质分布的不同，双极型晶体管可分为(均匀基区晶体管)和(缓变基区晶体管)两类。 、双极型晶体管放大三要素是(基区宽度远小于基区少子扩散长度)、(发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度)和(发射结正偏, 集电结反偏)。 )，共射极电流增益的物理含义是(表示发射极电流中传输到集电极的部分与传输过程中损失掉的部分的比值)。 4、发射效率γ0反映了IE中有多大比例可以注入到基区)，基区输运系数β0* 反映了注入到基区的电流在基区输运过程中，有多大比例可以达到集电结)、提高双极型晶体管电流增益的措施有(减小基区宽度)、(增大发射区杂质浓度)、(提高少子寿命)、(提高基区杂质分布梯度)(改善表面状况)等。 随着NB的减小，晶体管的β0 )、 γ0 )等参数会增大。 二．简答题 、以ＮＰＮ管为例说明为什么双极型晶体管具有电流放大能力？、什么是基区杂质自建电场，它对载流子的输运有何影响？ 基区不再处于电中性 → 多子与电离杂质间形成电场 (2) 杂质自建电场使多子产生漂移运动，其漂移运动与扩散运动相互平衡，维持了多子的分布。杂质自建电场使少子产生漂移运动。在杂质浓度最高点至发射结的区间内，阻碍少子向集电结的输运；在杂质浓度最高点至集电结的区间内，促进少子向集电结的输运。 三．画图题 、画出NPN型晶体管（分立器件）的纵向结构图，并标明其纵向结构参数及其名称。 2、以均匀基区PNP晶体管为例，画出放大状态下发射区、基区和集电区内少子浓度分布示意图。并比较这两种晶体管的基区中电子的方式。 答：均匀基区晶体管的基区中，发射结边界处少数载流子浓度高于集电结边界处，在扩散作用下，少数载流子由发射结边界疏运到集电结边界处。 缓变基区晶体管中，基区杂质分布不均匀形成基区杂质自建电场，基区少子在电场的作用下向集电结输运。 、画图并简述PNP管在放大状态下载流子的输运过程， 在图中标出载流子复合损失的区域 答题要点：（1）发射结的注入过程（2）基区输运过程（3）集电结收集过程画出放大状态下均匀基区NPN晶体管能带图 四．计算题 1. 一均匀基区晶体管，基区厚度Wb＝1μm，Lnb＝10μm，Lpe＝5μm，ρe＝0.05Ωcm，ρb＝0.15Ωcm，试计算γ、β*、α0、β0。 2. 有一个NPN晶体管，发射区宽度为1(m，基区宽度为1(m，基区掺杂为线性分布，平均浓度为1016cm-3，发射区杂质均匀分布，浓度为1018 cm-3，Dnb=20cm2/s，Dpe=10cm2/s，τnb=τpe=0.1μs，求γ0、α0、β0。 解： 3、有一硅平面NPN型晶体管，如果NE＝1018cm-3 ，NB（0）＝1017cm-3 ， Nc＝1015cm-3 ，We＝0.5μm，Wb＝0.6μm，试求：发射效率、基区输运系数、共基极电流增益。其中，Dpe＝10cm2/s，Dnb＝25cm2/s，τnb＝5×10-7s。（提示： ）。 解： 通用常数： 硅的参数：, , 。 , , 室温下, q=1.6×10-19C。 EV E EC N 电子流 空穴流 P N P P WB0 xjc xje N P N+ N+ c b e WB: 有效基区宽度 WB0 : 基区宽度 xjc：集电结结深 xje : 发射结结深 WB pB(x) nC(x) LnE LnC 少子浓度分布 缓变基区晶体管 均匀基区晶体管 nE(x) nC0 pB0 nn0 少子浓度分布 LnC LnE nC(x) pB(x) nE(x) nC0 pB0 nn0 N+ B C EFp EFn