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TiO 2纳米颗粒添加对无铅Ni-P凸块金属化对无铅焊料互连的影响 本研究的一个主要目的是引入无电Ni-P-TiO 2（17.5 at％的P）复合涂层作为高级电子封装的抛光垫。在这项研究中，TiO 2纳米粒子被纳入Ni-P层通过无电沉积和其功能作为新的凸块下金属化（UBM）深入研究。通过扫描电子显微镜（SEM）和X射线衍射（XRD）证明大部分添加的TiO 2纳米颗粒均匀分布在UBM中。系统地分析了无电沉积的Ni-P-TiO 2层和Sn-3.5Ag焊料合金之间的界面反应。使用初始Ni-P UBM进行比较，以评价TiO 2纳米颗粒对界面微观结构和机械性能的影响。 为了研究金属间化合物（IMC）的生长和计算活化能，焊料/ Ni-P和焊料/ Ni-P-TiO 2接头均在150℃至190℃的温度下时效不同的时效时间。 发现Ni 3 Sn 4 IMC层的生长和在反应界面处的空隙形成在TiO 2纳米颗粒的帮助下成功地抑制。 Ni 3 Sn 4在Ni-P和Ni-P-TiO 2层上生长的活化能分别计算为50.9kJ / mol和55.7kJ / mol。在具有TiO 2纳米颗粒的接头中控制Ni 3 P和Ni-Sn-P相的广泛生长以及无定形UBM的消耗速率。 因此，Ni-P-TiO 2 UBM阻挡了Cu从基底到界面的扩散。 提出了详细的反应诱导扩散机制。 焊料/ Ni-P-TiO 2焊料接头一致地表现出比焊料/ Ni-P接头更高的剪切强度作为时效时间的函数。 TiO 2纳米颗粒有助于减缓剪切强度从0.021 Mpa / h下降到0.013 Mpa / h随着时效时间。 此外，在剪切强度试验之后，断裂主要发生在焊料/ Ni-P-TiO 2接头的焊料基体处; 形态显示在粗糙表面上具有大的凹痕分布的延性断裂图案。 Introduction 由于不断增加的环境问题，无铅焊接是微电子封装中不可逆转的趋势。另一方面，电子器件中的精细间距要求半导体部件的缩小。小型化给焊料互连带来很大的挑战。无铅焊料合金的增加的熔点和减小的接头尺寸都加剧了界面反应。IMC在界面处的形态和生长对于确定互连的机械可靠性是必不可少的。由于其更好的阻挡性能，在焊接期间已经认识到无电Ni-P比铜衬底更好。低成本，良好的可焊性和均匀的厚度的特性使得无电镀Ni-P多年来一直是工业和学术界的焦点。在焊接过程中，Ni 3 Sn 4是主要的IMC。 然而，焊料反应辅助的结晶同时发生在界面处。通过Ni原子扩散在Ni 3 Sn 4下面形成富P层和三元Ni-Sn-P合金可能导致空隙的形成，甚至使界面最终容易出现裂纹。 此外，三元Ni-Sn-P合金诱导IMC从UBM层剥落是焊点可靠性严重退化的另一个威胁。 为了提高焊料互连可靠性，许多研究人员将注意力集中在焊料基质上。 金属和非金属材料已通过各种方法添加到焊料基质中以加强接合，例如机械搅拌焊膏，混合焊料粉末和烧结。UBM和焊料合金对于良好的互连同样重要。然而，更少的研究人员集中在UBM改性以加强焊接点。 Yang et al。 已添加第三元素，钨在Ni-P层中; 并且该Ni-P-W UBM显着减缓与无铅Sn-3.5Ag焊料的界面反应。碳纳米管已被顾氏团队用于沉积Ni-P-CNT复合涂层，结果表明它成功地减慢了Ni 3 Sn 4 IMC层和富P层的生长速率。Ni-Sn-P UBM已被Yang等人使用。 以抑制焊接期间的空隙形成。 此外，Sohn et al。 改变了Ni-P UBM中的P含量，发现其与IMC剥落有着密切的关系。 已经使用TiO 2来提高复合涂层的耐腐蚀性。 Asit et al。 在Sn-Ag-Cu焊料基质中掺杂1重量％的TiO 2纳米颗粒，导致更精细的微观结构并抑制IMC生长。从文献中，TiO 2纳米粒子很少用于电子包装的UBM中。 在这项工作中，TiO 2纳米颗粒已成功添加到Ni-P层（P的17.5％），通过无电沉积形成Ni-P-TiO 2复合物。 Ni-P和Ni-P-TiO 2与Sn-3.5Ag焊料反应以形成焊料接合。 在不同时效条件下，系统地研究了原子扩散引起的界面反应和接头的微观结构演化。 计算IMC形成的生长动力学和活化能。 通过比较，强调了TiO 2对界面的影响。 此外，进行剪切试验以评价焊料/ Ni-P-TiO 2接头的机械性能。 Experimental 尺寸为21nm的二氧化钛纳米颗粒购自Evonik degussa。 Cu箔（5mm厚，99.97重量％）用作Ni-P和Ni-P-TiO 2电镀的基板。 在两个电镀之前，Cu衬底被抛光并用30vol％硝酸蚀刻30s，然后进行商业Pd活化处理（来自MacDermid的平面预引发剂溶液）用于表面活化。通过将TiO 2纳米颗粒分散到商业Ni-P电镀浴（来自M