04cP22第四章[5磁敏传感器]lpj.pptVIP

关于施密特触发器 门电路组成的施密特触发器 第四章 常用传感器原理及应用 第五节 磁敏传感器 一、霍尔元件 霍尔效应——将导电体薄片置于磁感应强度为B的磁场中，如果在a、b端通以电流I，则在c、d端就会出现电位差。 a b c d 霍尔效应原理：在磁感强度为B的磁场中，电荷为q、运动速度为 的带电粒子，所受的磁场力——洛仑兹力，为 霍尔电势UH为 霍尔常数 磁感应强度 电流与磁场方向的夹角 ★ 霍尔元件一般由锗(Ge)、锑化铟(InSb)等半导体材料制成。霍尔元件由霍尔片、四根引线和壳体组成，如图示。将霍尔片、稳压电源、温度补偿电路和信号处理电路集成在同一个芯片上，即构成线性霍尔传感器。 ★ 霍尔传感器有单端输出和双端输出（差动输出）两种电路。 ★ 开关型霍尔传感器：由霍尔元件、放大器、施密特整形电路和集电极开路输出等部分组成。 施密特触发器的工作特点： ① 施密特触发器属于电平触发器件，适用于缓慢变化的信号，当输入信号达到某一定电压值时，输出电压会发生突变。 ② 电路有两个阈值电压。 输入信号增加和减少时，电路的阈值电压不同，电路具有如下图所示的传输特性 。 VT+ VT_ VT+ VT_ vo vI vo vI vI VT+ VT_ vO 0 0 t t 0 vI vO VT+ VT_ VDD (a) 工作波形 (b) 传输特性曲线 vI1 霍尔传感器应用 1）直流无刷电机的位置传感器，检测转子位置，以 实现换向 霍尔元件H2面向转子N极方向 H2导通为低电平 功率管VT2导通 绕组W2通过电流IW2 S 转子顺时针旋转 2）测转角 2）测转角 3）电流传感器/钳形表 ???????????????????????????????????????????????????????????????????????? 当电流流过导线时，将在导线周围产生磁场，磁场大小与流过导线的电流大小成正比，这一磁场可以通过软磁材料来聚集，然后用霍尔器件进行检测。 ???????????????????????????????????????????????????????????????????????? 叶片和齿轮位置传感器 4）叶片和齿轮位置传感器 5）汽车速度测量 1一轴 2一外壳 3—电路 4一定子 5—线圈 6一霍尔元件 7一永磁转子 6）电动自行车/霍尔电机 7）铁磁材料裂纹检测 N S 案例：输油管检测用管道猪(Pigging) 霍尔元件可以用来测量磁场强度、位移、力、速度、角度等。其特点是体积小、使用间便、无接触测量，但受温度影响较大，在做精密测量时应作温度补偿。 二、磁敏电阻 ★ 磁阻效应——当一载流导体置于磁场中时，其电阻会随磁场而变化。磁敏电阻就是基于磁阻效应工作的。 ★ 磁阻效应是伴随霍尔效应同时发生的一种物理现象。运动电荷在磁场中受到洛仑兹力的作用而发生偏转后，其从一个电极到另一个电极所经过的途径，要比无磁场作用时所经过的途径长些，因此增加了电阻率。 ★ 磁阻效应与半导体材料的迁移率，几何形状有关。一般迁移率愈高，元件的长宽比愈小，磁阻效应愈大。 ★ 制造磁敏电阻的材料：锑化铟(InSb),砷化铟(InAs)等。 ★ 磁电阻测量实验 外接电阻 磁阻器 R 1 2 V N S 处于磁场中的磁阻器件和一个外接电阻串联，接在恒流源的分压电路中，通过对R的调节可以调节磁阻器件中电流的大小，电压表联接1或2可以分别监测外接电阻的电压和磁阻器件的电压。 ★ 实用的磁敏电阻在无磁场时的初始电阻值R0可达几百欧姆，在磁感应强度B=1.0T时，其阻值RB与R0的比值可高达12左右。 ★ 磁敏电阻是两端器件，使用方便，但受温度影响很大，制作工艺难度大，应用受到限制。 三、磁敏管 1 磁敏二极管 （1）磁敏二极管的结构 有硅磁敏二级管和锗磁敏二级管两种。与普通二极管区别：普通二极管PN结的基区很短，以避免载流子在基区里复合，磁敏二级管的PN结却有很长的基区，大于载流子的扩散长度，但基区是由接近本征半导体的高阻材料构成的。一般锗磁敏二级管用ρ=40Ω?cm左右的P型或N型单晶做基区(锗本征半导体的ρ=50Ω?cm)，在它的两端有P型和N型锗，并引出，若γ代表长基区，则其PN结实际上是由Pγ结和Nγ结共同组成。 以2ACM—1A为例，磁敏二级管的结构是P+—I—N+型。 第四章 常用传感器原理及应用