热处理对多晶硅上沉积氮化硅薄膜的影响.pdf

·38． 中国太阳能光伏进展 热处理对多晶硅上沉积氮化硅薄膜的影响 勾宪芳1．马丽芬1任丙彦2冯志军3李士杰3赵士峰3 1北京海淀区花园路3号北京市太阳能研究所有限公司北京100083 2河北工业大学信息功能材料研究所天津300130 ：： 3京龙集团河北宁晋055550 【摘要】 用等离子体化学气相沉积(PECVD)法通过改变硅烷与氨气的流量比沉积氮化 硅薄膜，用椭圆偏振仪、准稳态光电导衰减法(QSSPCD)．X射线光电子能谱 (xPs)、红外吸收光谱(IR)、反射谱测试氮化硅薄膜的厚度、折射率、少子寿 命、Si／N、氢含量、反射率。实验发现，在沉积温度350。C，沉积时间5min， 【SiH4：N2]／[NH3】=4：l时，沉积氮化硅后硅片高寿命、氢含量高钝化效果好： 反射率低。在退火时间5min、退火温度400。C时少子寿命提高，然后随着退火 时间，温度的增加，多晶硅片少子寿命逐渐降低。在FG气氛下退火要比N2气 氛的少子寿命高。在多晶硅片上沉积氮化硅后，太阳电池的短路电流，开路电 压，效率有很大提高。 【关键词】 多晶硅太阳电池等离子体化学气相沉积氮化硅少子寿命 Effectsofthermal on thinfilm onmc-Si’ Si3N4 annealing deposited j LifenlREN LI GOU Zhijun3 Shifen93 Xianfan91‘MABingyan2，FENGShijie3，ZHAO 1 Solar Research District 100083 ． BeringEnergy Institute，3。HuaYuanRoad，HaiDianBeijing 2InstituteofInformationFunction 300130 Materials，HebeiUniversityofTechnology，Tianjin ’ ，JingLongC0rpontion，NingJin，055550 0引言 由于能源的短缺促使了光伏市场的迅速发展，高效率低成本的多晶硅材料占据了主要市 场。但多晶硅材料中含有大量的位错晶界和过渡族金属等，这些杂质，缺陷和表面态是非平 衡载流子的复合中心，导致多晶硅中少数载流子寿命及扩散长度降低’ PECVD制备的氮化硅薄膜是非晶体膜，作为钝化层，具有良好的绝缘性，致密性，稳 定性+。作为减反射膜，氮化硅不仅具有良好的光学性能和化学性能，还能对硅片起到表面 和体内钝化作用，提高电池的短路电流。氢钝化能有效降低表面复合速度，增加少子寿命， 从而提高太阳电池效率。 晶体硅太阳电池及材料．39． 1实验 Ixm，电阻率0．9～ 本实验样品为德国Bayer公司的太阳能级多晶硅片，厚度为295 ‘ 1Q．cm。 =2、3、4、5、6、7的流量比