dsp实验指导书材料.doc

TechV_28335 使用说明书 北京达盛科技有限公司 第三版：2009-12-30, Edited By Lx 地址：北京市海淀区长春桥路5号新起点大厦2-1501 邮编：100089 电话：010Web：/ 目 录 目 录 2 第一章 硬件资料介绍 3 1． Techv_28335CPU板介绍 3 2． Techv_28335CPU板资源介绍 3 3.扩展接口介绍 15 第二章软件环境的搭建 29 1. 安装调试软件 29 .1.1安装DSP调试软件－CCS3.3 29 1.2 CCS3.3软件升级包的安装： 32 1.3安装DSP仿真器－XDS510 USB驱动 32 2. 配置XDS510 USB(使用CCS3.3) 34 2.1 更改设置管理器设置 34 2.2 CCS3.3软件的设置 34 第三章CPU板测试程序 36 实验一 LED实验 36 实验二CPU定时实验 37 实验三 SRAM测试实验 39 实验四 URAT测试实验 40 实验五 USB实验 44 实验六 ECAN实验 48 实验七 PWM波形产生实验 52 实验八 FLASH烧写实验 55 第一章 硬件资料介绍 Techv_28335CPU板介绍 F28335EVM概况 F28335EVM是一个独立的嵌入式应用板卡，用户可以通过它直接验证自己的算法，或在此基础上进行最终产品的集成或开发。板卡上面丰富的资源能够满足大多数应用场合的需求，高容量的存储器能够满足各种应用代码的调试。完全的信号扩展使用户更方便进行二次开发。该产品灵活方便的外部接口，可以作为工业控制特别是电机控制系统的集成的配套产品。 选用该板卡可以大大降低系统的研发周期和风险，由于其高的可靠性，为设备生产厂家和最终用户提供了可靠的平台。同时为了简化代码开发，缩短编辑调试时间，提供了方便的接口和大容量的片上RAM存储器。并可以使用C编辑器进行代码的调试。 F28335EVM主要特点： 高性能32位浮点TMS320F28335数字信号处理器，系统周期为6.67ns的处理速度，运算速度可达到150MIPS。 16路12bitA/D转换器，内建2个采样保持器，最快的转换速度（S/H+转换）为80ns; 内部存储器：68K SRAM，256K*16bit以及内建128K可加密的FLASH，编程电压为3.3V 板上零等待64K*16bit SRAM 双路RS-232增强型主机通信接口可实现异步通信 CAN总线接口，可做终端点或其他任意节点 2个增强型多通道缓寸串口（McBSP）F28335扩展存储单元 LED和拨码开关 复位和电源电路 片上CAN总线接口单元 片上RS232串行接口单元 JTAG仿真器接口单元 CPLD逻辑译码单元 USB通信接口单元 扩展接口（J2，J4，J6，J12）信息 F28335扩展存储单元 EVM包含零等待周期的一片64k*16bit数据存储器，芯片型号为ISLV6416。总计提供64k的外部存储器。在系统开发过程中，内部的存储器往往要优先使用，这样可以更好地提高系统的运行效率。 此外，外部存储器的速度要受等待周期的影响。F28335能够内部产生外部接口(XINTF)的等待周期。片外等待周期由片内等待状态产生寄存器确定。为了能够获得零等待的存储器接口，系统必须正确的配置等待寄存器。也可以通过外部ready信号来产生等待周期。 外部存储器接口译码通过XC95144XL来完成。 F28335的存储器采用统一编址方式，存储器映射空间如下图： 评估板存储空间分配： 板上扩展存储器预分配如下： SRAM存储器：0x100000---0x10ffff，共64K （U2） 片内存储器地址范围（数据或程序空间）： M0: 0x0000~0x0400;(1K*16bit) M1: 0x0400~0x0800; (1K*16bit) 低64K*16bit SARAM: L0: 0x008000~0x009000; (4K*16bit) L1: 0x009000~0x00a000; (4K*16bit) L2: 0x00a000~0x00b000; (4K*16bit) L3: 0x00b000~0x00c000; (4K*16bit) L4: 0x00c000~0x00d000; (4K*16bit) L5: 0x00d000~0x00e000; (4K*16bit) L6: 0x00e000~0x00f000; (4K*16bit) L7: 0x00f000~0x010000; (4K*