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心衰患者室性心律失常相关因素分析 　　摘要：目的 观察心衰患者室性心律失常发生率并分析其相关因素。方法 入选自2007年1月～2012年1月因心脏性猝死一级预防及二级预防行ICD或CRT-D植入术的患者，术后随访其脉冲发生器记录的室性心律失常事件，采用统计软件，分析其室性心律失常发生的相关因素。结果 共入选了117例患者，中位随访时间5年（3～8年）。随访过程中死亡22例，一级预防14例（20%）。二级预防8例（16%）。随访过程中，室性心律失常发生率分别为12.3%（3个月）、20%（6个月）、28%（1年），35%（3年）。利用统计软件进行相关性分析，结果显示LVEF与室性心律失常负相关（rs=-0.185，P=0.045），而LVED（rs=0.273，P=0.003），及QRS时限（rs=0.446，0.001）与室性心律失常正相关，其结果均具有统计学意义。Logistic多元回归分析，结果显示LVEDD及QRS时限是室性心律失常发生的预测因子。结论 LVEF、LVED及QRS时限均与心衰患者室性心律失常的发生相关，其中LVEDD及QRS时限是室性心律失常发生的预测因子。 　　关键词：心衰；室性心律失常；心脏性猝死 　　慢性心力衰竭的患者易于发生各种心律失常，其中恶性室性心律失常是心脏性猝死（sudden cardiac death，SCD）的最主要原因。埋藏式心脏转复除颤器（implanted cardioverter defibrillator，ICD）是预防SCD重要手段，目前已证实同药物治疗相比，ICD可以提高患者的生存率[1，2]，对于心衰患者室性心律失常发生相关因素分析，目前国内相关研究结果不多。笔者通过对本中心植入ICD患者随访的临床结果进行分析，现报告如下。 　　1资料与方法 　　1.1一般资料 连续入选本院自2007年1月～2012年1月因心脏性猝死一级预防及二级预防行ICD或CRT-D植入术的患者。其中ICD的植入标准：非缺血性心脏病或缺血性心脏病心肌梗死后至少40d，EF≤35%（一级预防）；既往有心室颤动（VF）或血流动力学不稳定的室性心动过速（VT）（二级预防）。 　　1.2术后程控与随访 术后ICD参数设置：常规设置三个区（VT，FVT，VF），VT监测频率范围150～180次/min，FVT监测频率范围180～220次/min，VF监测频率大于220次/min。术后除设置低能量同步转复（CV）和高能量除颤（DF）功能外，常规设置抗心动过速起搏（ATP）功能，工作模式包括固定间期连续短阵快速刺激（Burst）和周长递减短阵快速刺激（Ramp）两种模式。VT、FVT治疗采用ATP-CV-DF分层治疗法；VF直接采用高能量除颤（DF）治疗。 　　出院后每3～6个月随访一次，若发生ICD放电事件则及时来院随访。随访的内容包括：①详细的病史询问和体格检查；②利用程控仪获取ICD储存资料，了解ICD的诊断和治疗是否准确、有效。每次随访记录脉冲发生器保存的事件资料，由两名分析者独立分析储存的腔内心电图后记录正确的室性心律失常数据。 　　1.3统计学处理 采用SPSS16.0统计软件完成统计分析。连续变量以均数±标准差表示，分类变量以百分比（%）表示。采用Cox回归模型对可能影响随访终点事件的因素进行筛选，以P0.05为差异有显著性。 　　2结果 　　2.1基线资料 共入选了117例患者，其中男性67例（57%），一级预防患者67例，二级预防患者50例。117例患者中缺血性心肌病59例，非缺血性心肌病58例。中位随访时间5年（3～8年）。随访过程中死亡22例，一级预防14例（20%），其中12例因心功能恶化及合并多脏器衰竭死亡，2例在外院死亡，因未来我院就诊，故死亡原因不明。二级预防8例（16%），其中6例因心功能不全进展死亡，2例因感染合并多脏器衰竭死亡。 　　2.2室性心律失常发生情况及相关因素分析 随访过程中，室性心律失常发生率分别为12.3%（3个月）、20%（6个月）、28%（1年），35%（3年）。我们首先分析了性别、年龄、左室射血分数（Left ventricular ejection fraction，LVEF）、左室舒张末内径（Left ventricular end-diastolic diameter，LVED）及QRS时限与室性心律失常的相关性，采用pearson相关分析，结果显示LVEF与室性心律失常负相关（rs=-0.185，P=0.045），而LVED（rs=0.273，P=0.003）及QRS时限（rs=0.446，0.001）与室性心律失常正相关，其结果均具有统计学意义。再以室性心律失常为因变量，以LVEF、LVED及QRS时限为自变量进行L