生长温度对Si1zGezC合金薄膜性质的影响.pdfVIP

生长温度对Si Ge :C 合金薄膜性质的影响? 1-x x 1 1 1 1? 1 2 夏冬梅 王荣华 王 琦 韩 平 梅 琴 陈 刚 1 1 1 1 1 1 1 谢自力 修向前 朱顺明 顾书林 施 毅 张 荣 郑有炓 （1 南京大学物理学系，江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京 210093, 2 南京电子器件研究所重点实验室，南京 210016 ） 摘 要：用化学气相淀积方法在Si （100）衬底上制备Si 缓冲层、继而外延生长Ge 组分渐变的 Si Ge :C 合金薄膜。 1-x x 研究表明，较低的 Si 缓冲层或 Si Ge :C 外延层生长温度均不利于获得理想的 Si Ge :C 合金薄膜， Si 缓冲层和 1-x x 1-x x Si Ge :C 外延层的生长温度均为750℃时可以获得质量较高、组分均匀的Si Ge :C 合金薄膜。本文通过材料的结构 1-x x 1-x x 表征结果分别对缓冲层和外延层的生长温度影响进行了分析研究。 关键词：化学气相淀积；Si1-xGeX :C 合金薄膜；生长温度 1 引 言 在 Si Ge 合金薄膜中掺入少量 C 形成 Si Ge :C，可以部分弛豫 Si Ge 中的应变、提高应变 1-x x 1-x x 1-x x 层的临界厚度，调节Si Ge :C/Si 的应变状态和能带结构；采用Ge 组分渐变的Si Ge :C 缓冲层， 1-x x 1-x x 可有效减少因Ge 和Si 间约4.2 ％的固有晶格失配带来的晶体缺陷、获得高质量的应变Si 和Ge 薄膜， [1-4] 从而广泛用于新型高频MOS 场效应晶体管等器件的置备 。目前生长Si Ge :C/Si 结构主要采用 1-x x 分子束外延（MBE ）、固相外延生长（SPE）和化学气相淀积（CVD ）等方法。 本工作用CVD 方法、仅在反应腔体中通入Ge 源和C 源实现Si 上Si Ge :C 合金薄膜的外延生