用恒定光电导法分析薄膜材料及太阳电池性能.pdfVIP

．424． 第十届中国太阳能光伏会议论文集 用恒定光电导法分析薄膜材料及太阳电池 性能 薛颖，张德贤+，陶科，姜元建，王林申，赵敬芳 (南开大学天津300071) 摘要 本文介绍了对本征氢化非晶硅材料进行恒定光电导测量，然后通过计算得到材料的吸收特性曲线。从而分析 材料的缺陷态密度等性能。文中针对薄膜制备过程，对沉积压强、衬底温度不同的材料的性能进行了分析， 优化得到了制备太阳电池所需的最佳工艺参数。最后结合其他测量方法对与材料采用相同制备工艺的太阳电 池的性能进行了具体分析。 关键词 氢化非晶硅太阳电池；恒定光电导谱法(CPM)；吸收系数． ●o●‘·_一 I．刖 舌 对于氢化非晶硅薄膜材料，光吸收和样品的能带结构紧密相关，特别是低能部分的光吸收，直接反映了样 Photoconduction 品带间隙态密度大小，从而得到材料中缺陷态的定性分析。恒定光电导谱法(Constant Method， CPM)用于研究非晶硅薄膜材料的隙态密度【l。】，它通过测量材料在不同波长光照下产生的光电导进而利用相 关的公式推算出该材料在各个波段的吸收系划41。恒定光电导测量的优点是：精度高，并且对材料体态密度敏 感，同时在测量中采用锁相放大技术可以实现对微弱信号的有效测量。减小噪声的干扰。所以通过恒定光电导 谱的测量分析可以为优化薄膜太阳电池和材料的制备工艺参数提供一定的依据，同时对太阳电池性能的研究和 评定具有重要的指导意义。 2实 验 2．1用于恒定光电导谱测量的样品及实验装置 本文用于恒定光电导谱测量的材料主要是本征非晶硅薄膜材料，材料是通过射频等离子体增强化学气相沉 积的方法(RF—PECVD)制备得到的。 用于恒定光电导谱测量的设备是光电探测器中的光谱响应测量系统。该系统包括：LPT75氙灯、单色仪、 数据采集器DCSl02、样品室、锁相放大器和斩波器等。该测量方法的优点是可以通过波长的自动扫描进行连 续测量，测量时需要将数据采集器和计算机相连接，同时应用相关的软件进行数据采集和处理。 2．2恒定光电导谱测量数据分析 在薄膜材料制备过程中，可以通过改变相应的工艺参数，进而改变材料自身的性能，这里我们主要讨论了 本征氢化非晶硅薄膜制备过程中，沉积压强和衬底温度的改变对材料性能所产生的影响。 由于实际实验条件的局限性和设备精度的影响，在本文中通过CPM测量得到的低吸收区内的吸收系数曲 线，与理论计算得到的低吸收区曲线有所差异，但仍然不失为材料内部缺陷态密度的定性表征瞄J。 ‘通讯作者：张德贤．男．副教授。E-mill：dexiajIz．hang@nankai．edu．cn 薄膜硅太阳电池及,-q-料．495． 2．2．1沉积压强的影响 表1中给出了三个采用不同沉积压强，其他参数均保持不变的本征非晶硅薄膜材料。 表1 本征材料113、|14和115的主要参数 TI√ Deposition SC，％ No． ℃ Pressure／Pa Ph／mW．锄。2吼／S·cmJ q／S·cm。1 光敏f92／e+05 Rate／A．S 113 270 85 8 100 2．75e-lO8．04e-05 2．920 1．60 114 270 100 8 100 1．05e．10 9．43e-05 8．980 1．68 115 270 150 8 100 9．61e．10 8．06e一05 0．839 2．02 图1给出上述三个材料通过CPM测量、计算得到的吸收系数谱。 飞 萋