硅锗合金Seebeck系数与组分和温度关系的研究.pdfVIP

·718． 中国太阳能光伏进展 ， 张维连 索开南 张恩怀孙军生 河北工业大学半导体材料研究所天津市300130 【摘要】 作为一种洁净能源，硅锗合金的热电转换性能的研究越来越受到人们的重视： l100 本文重点研究了不同Ge浓度的SiGe合金晶以及Si，Ge单晶在300K温 度范围内，塞贝克系数(Seebeck)随温度的变化。并对组分相同导电类型不同， 晶向不同，以及结晶状态不同的样品的Seebeck系数进行了比较。在研究温度 区间，塞贝克系数的绝对值大小一般在200～600肛v，K之间，随温度不同连续 变化。通过对比我们发现SiGe合金的Seebeek系数大小不仅与Ge的浓度和温 度变化有关，其他因素对其绝对值也有影响，其中晶向最为明显，SiGe合金的 Seebeck系数表现出了明显的各向异性。 【关键词】 SiGe合金Seebeck系数温差电池晶向 The ofSiGe onthe ofSeebeckcoefficientwith investigationalloy dependence contentand temperature WeilianSuoKainan EnhuaiSun Zhang Zhang Junsheng SemiconductorMaterialInstituteofHebei 300130 UniversityofTechnologyTi柚jm 0引言 近年来，随着人们对环境保护意识的加强及对传统能源观念的转变，寻找高效率无污染 的能量转换方式已成为当今能源科学急需解决的问题之一。20世纪30年代，随着半导体技 术的发展，人们发现半导体材料的热电势比常规金属高很多，利用半导体材料发电成为可能。 究，前苏联成为研究温差电材料和器件的中心。这一时期发现的碲化铋(Bi2Te3)、碲化铅 用于制冷器12J。PbTe适用于400～800K，用于温差电源。SiGe合金主要适用于700K以上 的高温，在1200K时，无量纲的温差电优值ZT近似等于1，是当前航天器温差电源主要使 用的热电材料‘31。 基础研究、新材料及新概念太阳电池 ．．719． 图1温差电材料的ZT值随温度的变化曲线 1实验方法 1．1 样品制备 成，晶棒的直径约为①60mm，晶体掺锗浓度(锗硅图重量比)分别为：0％，0．5％，5．0％， 控制Ge在si中纵向分布的均匀性，。采用变速拉晶14】，生长速度在头部时为0．8mm／min，随 着晶体不断生长，拉速不断降低，至尾部时为0．1mm／min。样品的组分和均匀性用扫描电镜 单晶晶棒切成直径为50mm，厚度为5nlnl的圆片，圆片的轴线与单晶的生长方相平行。 1～．测量装置 ，‘ P 塞贝克系数的测量采用自制的热电材料塞贝克系数测量仪，如图2。其主要由样品夹、 ● 一