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硒铟镓银多晶材料的合成研究.pdf
2005年10月 四川大学学报(自然科学版) Oct．2005
of Science V01．42Issue2
Sichuan
第42卷增刊2 Journal Edition)
University(Natural
文章编号：0490．6756(2005)022．0190—03
硒铟镓银多晶材料的合成研究
朱伟林，朱世富。，赵北君，黄毅，刘娟，徐承福，张建军，陈宝军，黎明
(四川大学材料科学系，成都610064)
合成的AgGal—In se2多晶
Se多晶材料进行对比．结果表明，改进工艺后合成的AgC两一In
材料的图谱与标准PDF卡片相符，表明其是高纯单相的Ag瓯一：In：Se2多晶材料．用新方法
合成的AgGal一：Iksc2多晶材料进行单晶生长，获得了完整的AgGal…Inse2单晶体．实验结
果表明，机械和温度振荡法是合成高质量AgGaI…Inse2多晶材料的一种有效方法．
关键词：AgGal一。Ikse2；多晶材料；机械和温度振荡；单晶生长
中图分类号：0741 文献标识码：A
引言
各种非线性光学器件[1
具有优异的光电性能，也可用来做各向异性的太阳能电池的多晶薄膜[5]．
通过对AgGal…InSc2多晶合成机理和实验研究，获得了一种AgGal一。In，sc2多晶材料合成的有效方法．
2 AgGal一。In：Se2多晶材料的合成
2．】直接法合成多晶
炉中按设定的控温程序进行升温和保温，最后切断电源取出多晶料．
结果发现，直接按化学计量配比合成的AgGaI…InSe2(z=0．2)多晶，料块表面颜色不均匀。有明显
‘
杂峰，其中包含有Ag的峰，而主峰有一定的偏离．
2、2温度和机械振荡法合成多晶
收稿日期：2005—08．3l
基金项目：教育部博士点基金(20040610024)
作者简介：朱伟林，男，凝聚态物理专业硕士研究生
*通讯作者，F，mail：sfzhu@scLl．eduⅡ1．
增刊2 朱伟林等：硒锢铼银多晶材料的合成研究 191
以看成Agoase2掺In，In原子部分取代naGaSe2晶
胞中的Ga原子而形成的化合物．因此可参考同属
黄铜矿结构的AgGaSe2的腰二元相图对hgGal_。
In：s龟多晶合成进行配料试验．
从A92Se-GazSe3腰二元相图【6J(如图2所示)，
可看出，A92Se和Ga2Se3存在一同成分点和一个固
se2配料中，我们尝试了同
熔区．因此在AgGat—In
成分点配料的方法．
将6tool的高纯单质Ag，Ga，In和Se按同成分 20(。)
点，令z=0．2的In取代Ga，并且富5％nSe配料．然
后依次装入洁净干燥的石英合成管中，进行一段时 圉1直接台成的^酗I一。吣S电多晶)ⅡD图谱
1
Fig X—raypower
diffraction雌enⅢof
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