第二章MOS器件物理基础讲解.pptxVIP

12 第二章 MOS器件物理基础 2.1 一般性考虑 2.1.1 以MOSFET做为开关 2.1.2 MOSFET结构 2.1.3 MOS符号 2.2 MOS I/V特性 2.2.1 阈值电压 2.2.2 I/V特性的推导 2.3 二次效应 2.4 MOS器件模型 2.4.1 MOS器件版图 2.4.2 MOS器件电容 2.4.3 MOS小信号模型 2.4.4 MOS SPICE模型 2.4.5 NMOS与 PMOS器件的比较 2.4.6 长沟道器件与 短沟道器件比较 附录A 用作电容器的MOS器件特性 简要目录 学习集成电路设计的方法 以量子力學開始，並了解固態物理、半導體元件物理、元件模型，最後則是電路的設計。 將每個半導體元件視為一黑盒子，其特性皆以端點電壓和電流表示，因此不需要注意元件內部運作更可設計電路。 MOSFET做为开关 右图是一个MOSFET的符号，它有三个端口：栅（G）、源（S）和漏（D）。对一个MOSFET来说，源和漏是对称的，是可以互换的。作为开关来应用时，如果栅极电压 VG 是高电压，则晶体管的源和漏是连接在一起的；而当栅电压VG为低电压时，晶体管的源和漏是断开的。 MOSFET结构 Leff = Ldrawn－2LD Leff 为等效長度，Ldrawn 為全長，LD 為擴散長度。 對於源極和汲極來說，結構是對稱的。 基板連接 MOSFET為一個四端元件，一般NMOS電晶體基板連接至系統中最小的供應電壓，通常實際的連接是透過一電阻 p+ 區域提供。 PMOS元件 (a)簡單PMOS元件；(b)在 n 型井中的PMOS 。 一般 n 型井連接至系統中最大的供應電壓。 MOS符号 三种常用的表示NMOS和PMOS晶体管的电路符号 NFET的阈值电压 (a)由栅压控制的MOSFET；(b)耗尽区的形成；(c)反型的开始；(d)反形层的形成 阈值电压 VTH 臨界電壓為界面反轉時之閘極電壓。 ΦMS 為多晶矽閘極和矽基板功函數之間的差。 ΦF=(kT/q)ln(Nsub/ni) ，其中 q 為電子電荷，Nsub 為基板摻雜濃度，Qdep 為空乏區之電荷數量，Cox 為單位面積之閘氧化層電容，εsi 代表矽的介電常數。 摻入 p+ 雜質改變氧化層界面附近的基板濃度進而改變臨界電壓值。 PFET的開啟 在PFET中形成反轉層。 類比CMOS積體電路設計 第二章 基本MOS元件物理 23 I/V特性圖之推導(一) 考慮一攜帶電流 I 之半導體柱，沿著電流方向之電荷密度為 Qd，其電荷速度為 v。則 I=Qd．v 24 I/V特性的推导(二) (a)源极和漏极电压相同时的沟道电荷；(b)源极和漏极电压不同时的沟道电荷。 I/V特性的推导(三) 1. VGS≧VTH 時之通道電荷密度 2. 考慮汲極端電壓為 VD，則通道中某一點 x 之電荷密度 3. 若 v=μE 為通道內電子速度，其中μ為電荷載子遷移率，E為電場，則電流值為 5. 因為 ID 在通道中為一常數 4. 考慮邊界條件 V(0)=0，V(L)=VDS，同乘 dx 並對其積分 三極管區汲極電流電壓關係圖 拋物線峰值發生於 VDS=VGS－VTH， 此時電流為 深三極管區之電阻特性 VDS≦VGS－VTH 時稱元件操作於三極管區或線性區。 若 VDS2(VGS－VTH ) ，可得 從源極至汲極路徑可用一線性電阻表示 如圖2.14(a)所示，繪出 M1 之開啟電阻和之關係圖。假設 μnCox= 50 μA/V2，W/L= 10，VTH= 0.7V。注意其汲極端為開啟狀態。 答： 因為汲極端被開啟，ID= 0 且 VDS= 0，因此如果元件開啟時，將操作於深三極管區。當 VG1V+VTH 時，M1 關閉且 RD= ∞。當 VG1V+VTH 時，我們得到 此結果繪於圖2.14(b)中。 例題 2.1 飽和區之成因 VDS＞VGS－VTH 時，汲極電流不會依照拋物線特性而會維持不變，稱元件操作於飽和區。 當 V(x) 趨近 VGS－VTH 時，Qd(x) 會降至零，反轉層將會在 x≦L 處截止，並往源極方向移動，稱截止效應。 飽和區電流推導及電流源 飽和區時，電流由 x= 0 積分至 x=L’ ，L’ 為 Qd 降至 0 之處，因此可得電流為 飽和MOSFET做為連接汲極和源極之電流源，將電流送至接地端或由VDD處吸引電流，換句話說只有一端是浮動的。 PMOS元件之電流公式 跨导 定义: 漏电流的变化量除以栅源电压的变化量.代表器件将电压转换成电流的能力。 MOS跨导与过驱动电压及漏电流的关系 飽和區和三極管區之概念示意圖 如圖2.19所示，繪出轉導和之關係圖。 答： 當 VDS 從無限大開始減少，了解 gm 是較為簡單的，只要 VDS