磁性纳米自旋阀器件中电流诱导磁化翻转行为的实验研究.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 磁性纳米白旋阀器件中电流诱导磁化翻转 行为的实验研究 姜勇H，滕蛟1，包瑾1，猪俣浩一郎2 1．北京科技大学材料物理与化学系，北京市海淀区学院路30号，北京100083 2．东北大学工学部材料物性学科磁性材料研究室，青叶山，日本仙台980—8579 摘要：近年来，我们陆续报道了纳米柱形状的电流垂直于平面构型的(简称CPP)交 换偏置自旋阀(简称ESPV)中的电流诱导磁化翻转行为(简称CIMS)。在传统的ESPV 结构中，我们成功的观测到了CIMS现象。但是临界电流值高达108安培／平方厘米。利 用单层金属钌(Ru)，我们将该临界电流有效的降低到了107安培／平方厘米量级。特别 是，在一种反对称型自旋阀结构中，临界电流被降至106安培／平方厘米量级，这使得 CIMS极有可能在以后的随机存储器中得以应用，从而大幅度的降低随机存储器的写入能 耗，提高其存储密度。本文实验研究了一种特殊的反对称自旋阀结构。随着外加磁场的 增大，该结构纳米器件表现出了一种由“逆CIMS”向“正常CIMS”的转变。这种现象被 解释为：该反对称自旋阀在不同的外加磁场下有不同的磁化取向，因而引起不同的ClMS 行为。 PACS numbers：75．60．Jk，72．25．Hg，75．47．De 前言 1988年，人们在金属磁性多层膜中发现了巨磁电阻效应(GMR)，即磁性多层膜的电 阻值随外加磁场而发生巨大变化的行为1。GMR发现后不到十年，就被用做计算机硬盘的 读出磁头材料，从而大幅度的提高了计算机硬盘的存储密度。另外，GMR还被用在磁随 机存储器(MRAM)中。MRAM是最近兴起的一种新型信息存储器件。它主要是结合GMR(或 隧道磁电阻TMR)和芯片集成技术，具有高速存取、不挥发等优良特性，被认为将最终 取代目前被广泛运用的磁、光盘技术。目前为止，MRAM的存储密度还不尽人意。因为随 着磁性存储元件(即GMR或TMR器件)尺寸缩小到亚微米尺寸，磁性膜会产生巨大的退磁 场，使得改变其磁化方向变得更加困难，即写入的能耗也大幅度增加，从而阻碍了存储 密度的进一步提高。 2 Slonczewskiand Berger3理论预测出，在纳米尺寸的单层铁磁体膜或纳米柱形 状金属磁性多层膜中流过的极化电流能产生磁激发或者甚至引起磁化方向的翻转。这种 电流诱导磁化翻转(CIMS)行为引起了人们广泛的兴趣。运用极化电流改变磁性膜的磁 化方向的概念，很可能为我们提供了一系列“电流驱动”的纳米器件，即通过直接通过 电流，而不是电流导线产生的环形磁场来改变磁性纪录元件的记忆信号4。特别地，如 果能在MRAM中应用CIMS技术，可以大大的降低MRAM的信息写入能耗和提高其存储密度。 目前为止，绝大多数CIMS方面的研究工作都是围绕着最简单的铁磁体(FM)／铜(cu)／FM 多层膜结构展开5。9。在通常的FM／Cu／FM结构中，能实现磁化翻转的临界电流值均在107 安培／平方厘米左右。最近，我们报道了在一种交换偏置自旋阀(ESPV)结构中首次观测 到的CIMS现象10’11。该报道被认为具有很高的应用价值，因为在通常的磁记录元件中， 人们用到的都是ESPV，而不是简单FM／cu／FM结构。这是因为ESPV的磁结构容易控制而 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 且矫顽力也较低。该ESPV结构中能实现磁化翻转的临界电流为1．6x108安培／平方厘米。 这样高的临界电流值实际上阻碍了CIMS技术在磁性存储元件(例如MRAM)中的应用， 因为过高的写入电流可以轻易的破坏磁性存储单元。理论研究表明，只有当临界电流密 度降低到106安培／平方厘米量级，CIMS技术才能投入实际应用。因此，如何有效的降 低CIMS的临界电流密度已经成为当今物理、材料以及电子领域的研究前沿之一。我们的 研究发现，利用金属钌层(Ru)，可以将ESPV结构的临界电流有效地降低到107安培／ 平方厘米量级10。进一步，在我们设计的一种“反对称结构”ESPV中，临界电流密度 被成功的降低到了106安培／平方厘米11’13。这种临界电流的实质性降低，使得CIMS技术 很有可能被应用到将来的自旋电子器件中，给人们带来更低能耗、更高存储密度