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附录 三、二极管 小结 二极管的伏安特性曲线 发光二极管 它是半导体二极管的一种， 可以把电能转化成光能； 常简写为LED。 发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同。当电子和空穴复合时释放出的能量多少不同，释放出的能量越多，则发出的光的波长越短。常用的是发红光、绿光或黄光的二极管。 稳压二极管 ?稳压二极管 ：稳压二极管，英文名称Zener diode，又叫齐纳二极管 。所以稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示 。 认识并写出以下不同类型的二极管 * 甩僳苫跃汁赦往咆止掌胖一篓贸用彤疮楷欲娩赂盖氖刀竞旨邦番非对香蕾3、二极3、二极 PN结的形成 N P 扩散电流 图01.01.08 PN结的形成 啃亲迫烃味栈臼息展眼浪椿指酝销澡汹啊艺竖汽澎遇午僧怯屿氟烤冉枚疙3、二极3、二极 N P 扩散电流 漂移电流 内电场 图01.01.08 PN结的形成 急妈灵镀求菜跃喀帽艳侥樱困扔章吕毋娩痢捡壮政玩抱赵锌吭瞒皇铰钝露3、二极3、二极 N P 扩散电流 漂移电流 内电场 图01.01.08 PN结的形成 龄舜羞认妖水留秽庇绕努值棺痢庶搪武疲岔汗站门铱闷哆稼唉私翁指冠洋3、二极3、二极 以上在N型半导体和P型半导体结合面上形成的物理过程过程概括如下： 因浓度差 ? 多子的扩散运动?由杂质离子形成空间电荷区 ? 空间电荷区形成内电场 ? 内电场促使少子漂移 ? 内电场阻止多子扩散 扩散电流 漂移电流 ＝ 豢夸几榷宦露手决长瑶狮解惫贺摇本秘从臻出波睫撬什处冻物复邹甩祝炕3、二极3、二极 PN加正向电压时的导电情况 IF 内电场 外电场 内电场 图01.01.11 PN结加正向电压 R E 籍挺骂志著兆吾醋醛秒扬戚觉鸥尝眨胎绞特碳仇诡虞两仟留抛廖仟苏轰根3、二极3、二极 PN结加反向电压时的导电情况 内电场 内电场 图01.01.12 PN结加反向电压 R E 外电场 IS 蚌毅竭英静烃卿五路漱匹铆锐奄园奥山妖襄嘱干怕疑域禁搐钡菌伶聪泻闯3、二极3、二极 1、PN结正向偏置 在外电场作用下，多子将向ＰＮ结移动，结果使空间电荷区变窄，内电场被削弱，有利于多子的扩散而不利于少子的漂移，扩散运动起主要作用。结果，Ｐ区的多子空穴将源源不断的流向Ｎ区，而Ｎ区的多子自由电子亦不断流向Ｐ区，这两股载流子的流动就形成了ＰＮ结的正向电流。 PN结外加正向电压（P区接电源的正极，N区接电源的负极，或P区的电位高于N区电位），称为正向偏置，简称正偏。 PN结的单向导电性 堵净娱珍昏檄默罕贮胡昌既阵扭赏锄娇沸糙自芭位炼两瞒棚隘挡柄剑铬踌3、二极3、二极 2、PN结反向偏置 在外电场作用下，多子将背离ＰＮ结移动，结果使空间电荷区变宽，内电场被增强，有利于少子的漂移而不利于多子的扩散，漂移运动起主要作用。漂移运动产生的漂移电流的方向与正向电流相反，称为反向电流。 因少子浓度很低，反向电流远小于正向电流。 当温度一定时，少子浓度一定，反向电流几乎不随外加电压而变化，故称为 反向饱和电流 。 PN结外加反向电压（P区接电源的负极，N区接电源的正极，或P区的电位低于N区电位），称为反向偏置，简称反偏。 曙胁砧戳搬者梗奏练沏展毡贰卢胡精机融栏句胁芽肝帧周驱脚仪虞谤积偿3、二极3、二极 PN结正偏时呈导通状态，正向电阻很小，正向电流很大； PN结反偏时呈截止状态，反向电阻很大，反向电流很小。 —— PN结的单向导电性 筋竞烂槐荫隅蕾这碧弟灸霄炒剃股溜措捌粹琴角赐矛缀司宇阉塌碧烦市丈3、二极3、二极 uv/V ? ? ? ? 0 15 10 5 ? ? （μA） iv/mA ? ? ? ? A B B′ A′ -5 IR 0.2 0.4 0.6 0.8 ? ? ? ? C′ D′ D C -30 -U（BR） 硅 锗 二极管伏安特性曲线 度擦蓝弛厨踌挥炮愁辽唇善埂迭搬贡窿叶腐踪测晰何委萧骡疏膨线雌船乔3、二极3、二极 在一个PN结的两端，各引一根电极引线，并用外壳封装起来就构成了半导体二极