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增强型NMOS管的特性曲线 (a)输出特性； (b)转移特性 *3 P沟道绝缘栅场效应管(PMOS管) 增强型PMOS管的结构示意图 三、场效应管的主要参数 1 直流参数 击穿电压 夹断电压 开启电压 饱和漏电流 直流输入电阻 2 微变等效电路及其参数 低频跨导 的定义式为 是转移特性曲线上某一点的切线的斜率， 与切点的位置密切相关。 ①在漏极特性上确定gm ②在转移特性上求gm ③用计算法求gm 四、场效应管和双极型三极管的比较 1 场效应管是电压控制元件，而双极型三极管则是电流控制元件。 2 场效应管是利用多数载流子导电(例如N型硅中的自由电子)，而双极型三极管既利用多数载流子又利用少数载流子。 3 场效应管的噪声系数比三极管要小。 4 有些场效应管的源极和漏极可以互换。 5 场效应管能在很小的电流、很低的电压条件下工作。 6 场效应管的工作频率较低，不适合高频运用。 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 模拟电子技术 哈尔滨工程大学 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 第四节 场效应晶体管(FET) 单极型晶体管 场效应管的特点： 输入阻抗高、温度稳定性好、低噪声、易集成化 分类： 结型(JFET)和绝缘栅型(MOS) 一、结型场效应管(JFET) 1 结构与工作原理 （1）构成 场效应管(FET)是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，属于压控器件。由于它仅靠多子参加导电，又称单极型晶体管。 结型场效应管又有N沟道和P沟道两种类型。 （2）工作原理 N·JFET的结构及符号 在同一块N型半导体上制作两个高掺杂的P区，并将它们连接在一起，引出的电极称为栅极G，N型半导体的两端引出两个电极，一个称为漏极D，一个称为源极S。P区与N区交界面形成耗尽层，漏极和源极间的非耗尽层区域称为导电沟道。 两个PN结之间的N沟道 ①UDS决定耗尽层的楔形程度 ②UGS决定沟道的宽窄度 ③UDS、UGS同时作用 工作原理 结型场效应管的工作原理 ①当 （即 、 短路）时， 控制导电沟道的宽窄。 时， 对导电沟道的控制作用 当 且 时，耗尽层很窄，导电沟道最宽。 (b)当 增大时，耗尽层加宽，导电沟道变窄，沟道电阻增大。 (c)当 增大到某一数值时，耗尽层闭合，沟道消失，沟道电阻趋于无穷大，此时 值为夹断电压 。 (a) ②当 固定时， 决定耗尽层的楔形程度。 若 ，电流 从漏极流向源极，从而使沟道中各点与栅极间的电压不再相等，而是沿沟道从源极到漏极逐渐增大，造成靠近漏极一边的耗尽层比靠近源极一边宽，沟道呈楔形。 （a） （b） （c） 且 栅漏电压 ，所以当 逐渐增大时， 逐渐减小，靠近漏极一边的导电沟道必将随之变窄。 一旦 的增大使 等于 ，则漏极一边的耗尽层就会出现夹断，如图 (b)所示， 为预夹断。 若 继续增大，则 ，耗尽层闭合部分将沿沟道延伸，即夹断区加长，如图 (c)所示。 因此，当 时， 增大 几乎不变，即 几乎仅仅决定于 ，表现出 的恒流性和受控性。 （1）转移特性及特征方程 ①当UGS=0时，N沟道最宽，ID最大，记作IDSS，称最大饱和漏电流。 ②当UGS＜0时，两个耗尽层加厚，ID成指数规律下降，其特征方程为 ③当 时，N沟道被夹断，ID≈0，管子截止。 2 结型场效应管的特性曲线 N·JFET的特性曲线 （2）漏极特性 可变电阻区、 漏极特性与BJT管的输出特性相仿，也分为三个区 饱和区、 击穿区 P·JFET P·JFET的特性曲线 N沟道结型场效应管的结构示意图 (a)N沟道管 (b) P沟道管 结型场效应管的符号 二、绝缘栅场效应管（MOS管） JFET的