模拟电子技术_总复习案例分析.ppt

* * 总复习 一、绪论：了解 二、二极管及其基本电路 1．半导体的基本知识 1）本征半导体：不含杂质、完全纯净的半导体 2）杂质半导体: N型半导体：掺入少量的5价元素。 多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴，以电子导电为主。 P型半导体：掺入少量的3价元素。 少数载流子是自由电子，多数载流子是空穴，以空穴导电为主。 2．PN结与二极管 单向导电性： 外加正向电压（正偏）时，外电场与内电场方向相反，空间电荷区变窄，形成较大的扩散电流，PN结呈现很小的电阻，称为正向导通； 外加反向电压（反偏）时，外电场与内电场方向相同，空间电荷区变宽，形成较小的漂移电流，PN结呈现很大的电阻，称为反向截止。 3．二极管基本电路分析： 1）二极管的理想模型 2）二极管的恒压降模型 要求：a）判断二极管是否导通，（ P97 习题 3.4.5） b）分析限幅电路中二极管的工作状态，画输出 电压的波形。 三、 半导体三极管及放大电路基础 1）结构：NPN型和PNP型 分为三区：发射区、集电区和基区； 两结：发射结Je和集电结Jc 2）各极间电流分配关系 IC＝?IB＋ICEO ? ?IB IE＝IB＋IC ? IC IE＝（1＋?）IB＋ICEO ?（1＋?）IB 3）放大条件：发射结正偏，集电结反偏。 各极之间的电位关系为： NPN管：VC＞VB＞VE PNP管：VC＜VB＜VE 4）特性曲线 输入特性曲线：Si管：Vth = 0. 5V ，Ge管：Vth = 0.1V 1、半导体三极管BJT 5）三极管的三种工作状态： 放大状态：工作在放大区，发射结正偏，集电结反偏 截止状态：工作在截止区，发射结反偏，集电结反偏 饱和状态：工作在饱和区，发射结正偏，集电结正偏 要求能根据各电极的电位，判断三极管的管脚和工作状态。（P185 习题 4.1.1、4.1.2） 当BJT处于工作状态时，Si管：VBE = 0.6 ~ 0.8V (取0.7V) [Ge管：VBE = 0.2 ~ 0.3V (取0.2V)] 输出特性曲线：分为截止区、放大区、饱和区三个区域。 2．基本共射极放大电路： 3）合理设置静态工作点 静态分析：确定静态值：IB、IC、VCE。 有两种方法，图解法：了解。 估算法：重点。 1）判断放大电路能否正常放大交流信号 原则：a）发射结正偏，集电结反偏； b）交流信号应畅通。 静态偏置电路有三种：(要求掌握两种) 要求能判断放大电路能否正常放大交流信号，简述 理由。（P186 习题 4.2.1） 2）基本放大电路的分析 工作点偏低，输出波形容易出现截止失真； 工作点偏高，输出波形容易出现饱和失真； 要求由输出波形能判断是什么失真. a）固定偏置电路1： b）射极偏置电路： 先求IB ? IC ? VCE VB?IE（IC）?IB?VCE 动态分析：计算电压增益、输入电阻和输出电阻 有两种方法：图解分析法：了解。 a）固定偏置电路： 小信号等效电路法：重点。 b）射极偏置电路： d）共基极电路(电路分析不要求） 习题4.3.9、4.3.12、4.4.3、4.4.4 (用NPN的三极管) c）共集电极电路(电路分析不要求） 四、 场效应管放大电路 1）结型场效应管（JFET）：N沟道和P沟道。 耗尽型：当VGS＝0时，有导电沟道，ID ? 0； JFET是电压控制器件，属于单极型晶体管。 增强型：当VGS＝0时，没有导电沟道，ID＝ 0； 2）MOS管： 要求根据转移特性曲线判断FET的类型。 习题：5.1.1、5.1.2、5.3.3、5.3.5 3. 场效应管放大电路的分析(了解) 五、集成运算放大器 2．差分式放大电路： 1．电流源：（了解） 特点：交流电阻大，直流电阻小。 2）基本概念： 3）分析计算：(对基本差放)(了解) a）静态分析 b）各性能指标只与输出方式有关，与输入方式无关。 由T1输出时，输出与输入反相； 由T2输出时，输出与输入同相。 1）零点漂移（温度漂移）： c）动态分析 差