金属栅高K栅介质亚45纳米CMOS技术的需求.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 金属栅／高K栅介质：亚45纳米CMOS技术 的需求 康晋锋 北京大学微电子研究院北京邮编100871 1．引言 是，开发可满足实际电路的性能要求和可 自微电子集成电路技术诞生以来，一 靠性需求的、可首先量产的工艺集成技术。 直是按照摩尔定律预测的规律发展的。基 本文将就金属栅与高K栅介质研究发展中 于摩尔定律规律编制的半导体产业发展路 的～些关键问题和相关的解决方案进行系 线图(ITRS)预测[1]，到2006年65纳米统的讨论和研究。 技术将实现量产，主流CMOS器件的等效栅 氧化层厚度(EOT)将按比例缩d,N1纳米 2．高K栅介质材料的选择 以下。如果仍然采用传统的多晶硅／si02 高K栅介质材料的引入主要是解决传 或SiNO栅结构，由于显著的量子直接隧穿 统SiO：或SiNO栅介质在按比例缩小缩小 到lnm尺度以下时，将面临的不可接收的 效应和多晶硅耗尽效应，器件将产生不可 高的栅泄漏电流问题。因此，高K栅介质 接受的高的栅泄漏电流。为此，引入新型 研究首要解决的问题是：能否通过引入合 的高K栅介质与金属栅结构替代传统的多 适的高K栅介质材料达到有效减小栅泄漏 晶硅／si02或SiNO栅结构是必要的。理论电流的目的?理论分析结果显示[8]，采 和实验表明[2-7]，采用高K栅介质替代用高K栅介质后，由于量子直接隧穿效应 Si0。栅介质材料，在相同的EOT下，由于得到限制，栅泄漏电流将显著减小。如图 高K栅介质具有较厚的物理厚度，可使得 栅介质的泄漏电流密度将较Si0。的栅泄 穿过栅介质层的量子直接隧穿效应显著减 漏电流密度低4个数量级以上。 小，由此引起的栅泄漏电流将显著降低。 实验结果证实，采用Hf02高K栅介质 金属栅／高K栅介质的研究在经历了初期 层替代Si0：后，栅泄漏电流密度至少可减 的材料研究和关键技术研究两个阶段后， 小4个数量级，如图2所示[5]。 目前已进入实用前的最后研究阶段，即第 三个阶段的工艺集成和可靠性评估阶段。 其中，在初始的材料研究阶段，主要进行 的是探索性的研究工作，重点探索高K栅 董 介质材料应用到。MOS器件是否可行以及优 l 化的高K栅介质材料选择方面；在关键技 言 术研究阶段，主要研究和解决的问题是将 高K栅介质材料集成到CMOS器件中面临的 材料和工艺的兼容性问题，重点解决了栅 电极与高K栅介质之间的费米钉扎效应和 载流子迁移率下降等问题；目前，正在进 图1具有不同介电常数(K值)的栅介质泄漏电 、侃随栅压的变化关系 行的金属栅／高K栅介质与CMOS器件和电 路的工艺集成和可靠性评估，需要解决的 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 K栅介质材料体系上，高K栅介质与CMOS