半导体物理与器件第四章3题稿.ppt

EF随温度变化的关系 则对特定掺杂浓度条件下，随温度上升，费米能级位置逐渐趋近禁带中线即本征费米能级。 仍由 当温度上升 本章总结 电子的能带结构及其运动状态（E-k关系） 能量状态密度 导带 价带 电子占据能量状态的分布函数 费米分布函数 玻尔兹曼分布函数 不同类型半导体的载流子浓度和费米能级表达式及其变化规律 理论基础 重要的公式： 对本征半导体： 对非简并杂质半导体： N型： 完全电离区（非本征区，本征区） 在非本征区： p型： 完全电离区（非本征区，本征区） 在非本征区： * 半导体物理与器件 陈延湖 非简并非本征半导体的电子和空穴浓度积 费米能级的位置与掺杂原子浓度相关，为未知数，求得非本征半导体的电子和空穴浓度仍需要其他条件，即电中性条件 4.4 施主和受主的统计学分布 电子占据 施主杂质能级Ed 的几率: 空穴占据受主杂质 Ea 的几率: 杂质能级与能带中能级的区别：能带中能级可以容纳两个自旋相反的电子，而杂质能级如施主能级只能容纳一个任意自旋的电子，或者失去该电子；所以杂质能级被占据的几率不能用标准的费米分布函数。 其中gd为施主电子能级的简并度，通常为2。Ed为施主杂质能级；ga为受主能级的简并度，通常为4， Ea为受主杂质能级， 施主能级上的电子浓度（未电离的施主杂质浓度） 受主能级上的空穴浓度（未电离的受主浓度） Nd为施主杂质的浓度 Na为受主杂质的浓度 电离受主浓度 电离施主浓度 在具体的应用中，我们往往对电离的杂质浓度更感兴趣，而不是未电离的部分 对施主： 若 此时对于导带电子来说，玻尔兹曼假设也成立 完全电离和束缚态 则占据施主能级的电子数和总的电子数（导带中和施主能级中）的比值为： 该公式表示杂质的电离程度 例4.7 试计算 T=300K时施主能级中的电子数占总电子数的比例。硅中磷的掺杂浓度为Nd=1016/cm-3 解： 仅有0.4%的施主能级包含电子，可认为施主杂质处于完全电离状态 同样，对于掺入受主杂质的p型非本征半导体材料，在室温下，对于1016cm-3左右的典型受主杂质掺杂浓度来说，其掺杂原子也已经处于完全电离状态。 绝对零度时EF位于Ec和Ed之间，杂质原子处于完全未电离态，称为束缚态 可证明此时费米能级EF处于Ec和Ed之中间 4.5 电中性状态 一般情况：同时含有施主和受主杂质的情况，这时存在 （？？？？） 效应。 杂质补尝 补偿半导体：同时掺有施主掺杂和受主掺杂的半导体 为了求得载流子浓度，我们需要建立方程，即寻找各个量之间的关系。在掺杂半导体中，这个关系就是电中性条件。 电中性条件 在平衡条件下，补偿半导体中存在着：带负电导带电子，带正电价带空穴，带负电的受主杂质离子、带正电的施主杂质离子。但是作为一个整体，半导体处于电中性状态。因而有： 求二次方程，得到n型半导体的电子浓度： 在非简并条件下，且杂质完全电离（常温低掺杂）： 电中性条件 对n型补偿半导体的情况 上式为完全电离条件下，n型非简并补偿半导体的多少载流子电子和少数载流子空穴的浓度表达式 若半导体为n型非补偿半导体，则令Na为0即可。 当 当有效掺杂浓度远大于ni时，对于非简并完全电离的补偿半导体，多子浓度等于有效掺杂浓度 当 得： 当有效掺杂浓度远小于ni时，对于非简并完全电离的补偿半导体，多子浓度近似等于本征载流子浓度，此时半导体具有本征半导体的特性 特别的当 半导体为完全补偿半导体 求二次方程，得到p型半导体的空穴浓度： 电中性条件 对p型补偿半导体的情况 上式为完全电离条件下，p型非简并补偿半导体的多少载流子电子和少数载流子空穴的浓度表达式 若半导体为p型非补偿半导体，则令Nd为0即可。 当 当有效掺杂浓度远大于ni时，对于非简并完全电离的补偿半导体，多子浓度等于有效掺杂浓度： 当 得： 当有效掺杂浓度远小于ni时，对于非简并完全电离的补偿半导体，多子浓度近似等于本征载流子浓度，此时半导体具有本征半导体的特性 特别的当 半导体为完全补偿半导体 杂质半导体的载流子浓度与杂质浓度的关系： 一定温度下，当杂质浓度小于ni时，n0，p0都等于ni，材料视为本征的。 一定温度下，当杂质浓度大于ni时，多数载流子由杂质浓度决定，随杂质浓度增加而增加，少数载流子随之减少。 小结 根据电中性条件，得到非本征半导体载流子浓度与杂质浓度的关系。 上述公式适应范围： 杂质完全电离的温度区域（常温，及高温） 半导体为非简并半导体（掺杂浓度较低） 下面分析： ①非本征半导体载流子浓度随温度变化的完整曲线 ②半导体发生简并的掺杂浓度 非本征半导体载流子浓度随温度变化的完整曲线 非本征区 本征激发区 未完全电离区 未完全电离区 低温区 杂质不完全电离 非本征区 杂质完全电离 杂质浓度远大于本征载流子，又称载流子饱和